公开(公告)号：KR101842744B1

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：KR1020140108723

申请日：2014-08-21

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 우라노,히로유키 ,  이이오,마사시 ,  다케무라,가츠야 ,  미야자키,다카시

IPC分类号： C08G77/445 ,  C08G77/38 ,  C08G63/695 ,  C08G63/91 ,  G03F7/075 ,  G03F7/26 ,  C08G77/42 ,  C08G77/448 ,  C08L83/04 ,  C08L83/10

CPC分类号： G03F7/0757 ,  C08G77/16 ,  C08G77/38 ,  C08G77/42 ,  C08G77/448 ,  C08L83/04 ,  C08L83/10 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03G5/05 ,  G03G7/00

摘要： 본발명은 Cu나 Al과같은금속배선, 전극, 기판상, 특히 SiN과같은기판상에서발생하는박리문제를개선할수 있고, 범용적으로이용되는 2.38% TMAH 수용액을현상액에이용하여패턴저부, 기판상에스컴이나헤밍을발생시키지않고미세한패턴을형성할수 있는화학증폭형네가티브형레지스트재료의베이스수지로서바람직하게이용되는고분자화합물을제공한다. 본발명의고분자화합물은카르복실기및 실록산쇄를함유하는고분자화합물로서, 적어도 (Ⅰ) 하기일반식 (1)로표시되는양쪽말단에페놀기를갖는실록산화합물,(Ⅱ) 하기일반식 (2)로표시되는페놀류및 하기일반식 (3)으로표시되는페놀류중 어느하나또는양쪽, 및(Ⅲ) 하기일반식 (4)로표시되는 1종류이상의알데히드·케톤류를산 촉매하축합함으로써얻어진다.

摘要翻译： 本发明是一种金属布线，如Cu或Al，电极，基板，特别是，能够提高所述基底诸如SiN上发生剥离的问题，使用2.38％的TMAH水溶液被在显影剂图案底部普遍使用的，基片 作为eseukeom或折边的，而不会产生精细图案的基体树脂被化学放大负性抗蚀剂形成材料，它提供了高分子量的化合物，优选使用。 本发明的高分子化合物由硅氧烷化合物表示，由下述通式（Ⅱ）（2），其具有在由含羧基和硅氧烷链的聚合物化合物为代表两端酚，和至少（Ⅰ）由下述通式（1）表示 （III）在酸催化下由以下通式（4）表示的一种或多种醛酮。

公开(公告)号：KR101722780B1

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：KR1020090127974

申请日：2009-12-21

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하따께야마,준 ,  와따나베,다께루 ,  이이오,마사시 ,  가따야마,가즈히로

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/405

摘要： 본발명은, 락톤을밀착성기로서갖는반복단위와산불안정기함유반복단위를공중합한고분자화합물을포함하는제1 포지티브형레지스트재료로기판상에제1 레지스트막을형성하는공정, 제1 레지스트막을노광후에가열처리하고, 현상하여제1 레지스트패턴을형성하는공정, 제1 레지스트패턴에아민화합물또는옥사졸린화합물을적용하고, C3 내지 8의알코올, 또는 C3 내지 8의알코올및 C6 내지 12의에테르를포함하고상기제1 레지스트패턴을용해시키지않는용제를용매로하는제2 포지티브형레지스트재료를도포하여제2 레지스트막을형성하는공정, 제2 레지스트막을노광, PEB 후에현상하여제2 레지스트패턴을형성하는공정을포함하는패턴형성방법을제공한다. 본발명에따르면, 제1 레지스트패턴의패턴이미형성된부분에제2 패턴을형성하여, 패턴사이의피치를반으로하는더블패터닝을행하고, 1회의건식에칭으로기판을가공할수 있다.

公开(公告)号：KR101699077B1

公开(公告)日：2017-01-23

申请号：KR1020100047812

申请日：2010-05-24

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 와따나베,다께루 ,  가따야마,가즈히로 ,  이이오,마사시 ,  하따께야마,준 ,  니시,츠네히로 ,  긴쇼,다께시

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

摘要： 본발명은 1) 산의작용으로알칼리용해성이증가하는반복단위와락톤구조함유반복단위를갖는고분자화합물을포함하는포지티브형레지스트재료를기판상에도포하여제1 레지스트막을형성하고, 가열처리후에노광하고, 가열처리후에알칼리현상하여제1 레지스트패턴을형성하는공정, 2) 제1 레지스트패턴상에레지스트변성용조성물을도포하고, 가열하여변성처리를행하는공정, 3) 그위에제2 포지티브형레지스트재료를도포하고, 가열처리후에노광하고, 가열처리후에알칼리현상하여제2 레지스트패턴을형성하는공정을 포함하는패턴형성방법에사용되는레지스트변성용조성물로서, 하기화학식 (1)로표시되는반복단위를갖는베이스수지와알코올계용제를포함한다.(A은에테르기함유가능한알킬렌기이고, R은 H 또는메틸기이고, R는알킬기, 또는서로결합하여질소원자함유헤테로환을형성할수도있음) 본발명에따르면, 제1 패턴의충분한불활성화, 제2 패터닝후의유지가가능해져, 2회의노광과 1회의드라이에칭으로기판을가공하는더블패터닝공정이가능하다.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包括含有式（1）的重复单元的基础树脂，其中A1是亚烷基，R1是H或甲基，R2是烷基或键合在一起形成含氮杂环，和醇类溶剂。

公开(公告)号：KR1020100074029A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020090127974

申请日：2009-12-21

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하따께야마,준 ,  와따나베,다께루 ,  이이오,마사시 ,  가따야마,가즈히로

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/405 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

摘要： PURPOSE: A pattern formation method for processing a substrate by one step of dry etching, and a resist composition are provided to process the substrate by forming a second pattern on a place without a first resist pattern, and by performing a double patterning. CONSTITUTION: A pattern formation method comprises the following steps: forming a first resist film by spreading a first positive resist material containing a polymer compound produced by copolymerizing a recurring unit with an acid-labile group, on a substrate(10); forming a frits resist pattern by exposing the first resist film with a high energy beam, post-exposure baking the resist film, and developing the first resist film; inactivating the first resist pattern by applying an oxazoline compound or an amine compound; forming a second resist film by spreading a second positive resist material on the first resist pattern; and forming a second resist pattern(50) by exposing and developing the second resist film.

摘要翻译： 目的：通过干蚀刻一步处理基板的图案形成方法和抗蚀剂组合物，通过在没有第一抗蚀剂图案的地方形成第二图案，并通过进行双重图案化来对基板进行处理。 构成：图案形成方法包括以下步骤：通过在基材（10）上铺展含有通过使重复单元与酸不稳定基团共聚制备的聚合物化合物的第一正性抗蚀剂材料来形成第一抗蚀剂膜; 通过用高能束暴露第一抗蚀剂膜，曝光后烘烤抗蚀剂膜并显影第一抗蚀剂膜，形成玻璃料抗蚀剂图案; 通过施用恶唑啉化合物或胺化合物使第一抗蚀剂图案失活; 通过在第一抗蚀剂图案上铺展第二正性抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜; 以及通过曝光和显影所述第二抗蚀剂膜形成第二抗蚀剂图案（50）。

公开(公告)号：KR101628371B1

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020090094506

申请日：2009-10-06

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하따께야마,준 ,  이이오,마사시 ,  와따나베,다께루 ,  긴쇼,다께시 ,  이시하라,도시노부

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： 본발명은, 포지티브형레지스트재료를기판상에도포하여레지스트막을형성하고, 가열처리후에고에너지선으로상기레지스트막을노광하고, 가열처리후에현상액을이용하여상기레지스트막을현상하여제1 레지스트패턴을형성하고, 그위에적어도하나의아미노기를가짐과동시에가수분해반응기를갖는규소화합물을포함하는보호막용액을도포하고, 가열에의해서제1 레지스트패턴표면을상기보호막으로덮고, 그위에제2 포지티브형레지스트재료를기판상에도포하여제2 레지스트막을형성하고, 가열처리후에고에너지선으로상기제2 레지스트막을노광하고, 가열처리후에현상액을이용하여제2 레지스트막을현상하는공정을갖는패턴형성방법을제공한다. 본발명에따르면, 예를들면제1 패턴의스페이스부분에제2 패턴을형성함으로써패턴과패턴의피치를반으로하는더블패터닝을행하고, 1회의건식에칭에의해서기판을가공할수 있다.

公开(公告)号：KR101623584B1

公开(公告)日：2016-05-23

申请号：KR1020090083325

申请日：2009-09-04

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 니시,츠네히로 ,  긴쇼,다께시 ,  오하시,마사끼 ,  하세가와,고지 ,  이이오,마사시

IPC分类号： G03F7/039

CPC分类号： C07C69/54 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

摘要： 본발명은산의작용에의해알칼리현상액에가용이되는수지성분 (A)와, 활성광선또는방사선에감응하여산을발생시키는화합물 (B)를함유하고, 수지성분 (A)가화학식 1로표시되는비이탈성의수산기를함유하는반복단위를갖는고분자화합물인포지티브형레지스트재료를제공한다. (식중, R은수소원자, 메틸기또는트리플루오로메틸기를나타낸다. Y는수소원자또는수산기를나타내고, 적어도 1개의 Y는수산기이다. 파선은결합의방향이불특정한것을나타낸다) 본발명의포지티브형레지스트재료는미세가공기술, 특히 ArF 리소그래피기술에있어서매우높은해상성을갖고, 정밀한미세가공에매우유용하다.

摘要翻译： 本发明显示包含树脂成分为其中响应于光化射线或辐射产生酸（A）是通式的树脂，很容易通过酸组分（A）的作用的碱性显影溶液和化合物（B）（1） 它是具有含不可释放羟基的重复单元的高分子化合物。 <通式1>（其中，R隐士希望在这里，表示甲基的基或三氟甲基。Y是氢原子或羟基基团，至少一个Y是羟基。虚线表示的方向被子特定的键）发明 正面抗蚀剂材料在微细加工技术中具有非常高的分辨率，特别是ArF光刻技术，并且对于精细微细加工非常有用。

公开(公告)号：KR1020100127184A

公开(公告)日：2010-12-03

申请号：KR1020100047812

申请日：2010-05-24

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 와따나베,다께루 ,  가따야마,가즈히로 ,  이이오,마사시 ,  하따께야마,준 ,  니시,츠네히로 ,  긴쇼,다께시

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0271

摘要： PURPOSE: A composition for modifying a resist, and a patterning method using thereof are provided to perform a double patterning process for processing a substrate using two exposure processes and one dry etching process. CONSTITUTION: A composition for modifying a resist for producing a pattern contains a base resin with a recurring unit and an alcohol based solvent. A patterning method using the composition comprises the following steps: forming a first resist layer by spreading a positive resist material on a substrate(10); exposing the first resist layer with a high energy beam and alkali to develop a first resist pattern; spreading the composition for modifying the resist on the first resist pattern and heating to modify the resist; and forming a second resist pattern(50) on the first resist pattern.

摘要翻译： 目的：提供用于改性抗蚀剂的组合物及其使用的图案化方法，以进行使用两次曝光工艺和一次干法蚀刻工艺处理衬底的双重图案化工艺。 构成：用于改性用于制造图案的抗蚀剂的组合物含有具有重复单元和醇系溶剂的基础树脂。 使用该组合物的图案化方法包括以下步骤：通过在基板（10）上铺展正性抗蚀剂材料来形成第一抗蚀剂层; 用高能量束和碱暴露第一抗蚀剂层以形成第一抗蚀剂图案; 将用于改性抗蚀剂的组合物铺展在第一抗蚀剂图案上并加热以改性抗蚀剂; 以及在所述第一抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂图案（50）。

公开(公告)号：KR1020100029048A

公开(公告)日：2010-03-15

申请号：KR1020090083331

申请日：2009-09-04

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 니시,츠네히로 ,  긴쇼,다께시 ,  오하시,마사끼 ,  하세가와,고지 ,  이이오,마사시

IPC分类号： G03F7/039

CPC分类号： G03F7/2041 ,  C07C69/54 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： PURPOSE: A positive resist material, a patterning process using the same, and a polymerizable compound used in the method are provided to be useful in minute processing, and to ensure high resolution in a lithography technique, especially, an ArF lithography technique. CONSTITUTION: A positive resist composition comprising (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) a compound capable of generating an acid in response to actinic light or radiation, wherein the resin component (A) is a polymer comprising non-leaving hydroxyl group-containing recurring units of at least one type selected from the general formulae (1-1) to (1-3), wherein R1 is hydrogen, methyl or trifluoromethyl, X is a single bond or methylene, Y is hydroxyl or hydroxymethyl, and m is 0, 1 or 2.

摘要翻译： 目的：提供正性抗蚀剂材料，使用该抗蚀剂材料的图案化工艺和在该方法中使用的可聚合化合物，以便在微加工中有用，并且确保在光刻技术，特别是ArF光刻技术中的高分辨率。 构成：正性抗蚀剂组合物，其包含（A）在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂的树脂组分和（B）能够响应于光化学光或辐射而产生酸的化合物，其中树脂组分（ A）是包含选自通式（1-1）至（1-3）中至少一种的不含离去羟基的重复单元的聚合物，其中R 1是氢，甲基或三氟甲基，X是单 键或亚甲基，Y是羟基或羟甲基，m是0,1或2。

公开(公告)号：KR101999954B1

公开(公告)日：2019-07-15

申请号：KR1020150138808

申请日：2015-10-01

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 우라노,히로유키 ,  이이오,마사시 ,  타케무라,카츠야 ,  하세가와,코지 ,  후쿠시마,마사히로 ,  후지와라,타카유키

IPC分类号： C08G77/14 ,  G03F7/075 ,  G03F7/038 ,  B32B15/08 ,  H05K3/28

公开(公告)号：KR1020160085695A

公开(公告)日：2016-07-18

申请号：KR1020150189526

申请日：2015-12-30

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 우라노,히로유키 ,  이이오,마사시 ,  타케무라,카츠야 ,  미야자키,타카시

IPC分类号： C08G77/04 ,  C08G77/52 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  G03F7/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： C08G77/14 ,  B32B3/266 ,  B32B3/30 ,  B32B2255/26 ,  B32B2307/206 ,  B32B2457/14 ,  C08G77/48 ,  C08G77/52 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/20 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0277

摘要： [과제] Cu나 Al과같은금속배선, 전극, 기판상, 특히 SiN과같은기판상에서발생하는벗겨짐의문제를개선할수 있고, 패턴저부, 기판상에스컴이나푸팅을발생시키지않고미세한패턴을형성할수 있는화학증폭형네가티브형레지스트재료의베이스수지로서호적하게이용되는실리콘골격함유고분자화합물을제공한다. [해결수단] 하기일반식(1)로표시되는반복단위를갖는것을특징으로하는실리콘골격함유고분자화합물. [화학식 1]

摘要翻译： 本发明提供一种含有硅酮骨架的高分子化合物，其适合用作能够形成微图案的化学放大型负性抗蚀剂材料的基础树脂，而不会在基板和图案的下部形成浮渣或基底，并且可以减少在 金属线如Cu或Al，电极，或在诸如SiN的衬底上。 为此，含有硅酮骨架的高分子化合物具有由化学式1表示的重复单元。