发明授权
- 专利标题: 주석-은 솔더 범프 고속 도금액 및 이를 이용한 도금 방법
- 专利标题(英): Tin-silver solder bump high speed plating solution and the manufacturing method thereof
- 专利标题(中): 锡银焊料凸块的高速电镀液及使用该电镀液的方法
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申请号: KR1020150180360申请日: 2015-12-16
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公开(公告)号: KR101722704B1公开(公告)日: 2017-04-11
- 发明人: 이석호 , 송정환 , 전성식 , 김병탁 , 임아현 , 이준우
- 申请人: 엘티씨에이엠 주식회사
- 申请人地址: 경기도 평택시 산단로**번길 ** (모곡동)
- 专利权人: 엘티씨에이엠 주식회사
- 当前专利权人: 엘티씨에이엠 주식회사
- 当前专利权人地址: 경기도 평택시 산단로**번길 ** (모곡동)
- 代理商 특허법인명인
- 主分类号: C25D3/30
- IPC分类号: C25D3/30 ; C25D3/32 ; C25D3/46 ; C25D3/60 ; C25D3/66 ; C25D5/00 ; C25D7/12
摘要:
본발명은고속도금조건하에서주석-은솔더범프고속도금액으로, 주석이온 2.1 ~ 20wt%; 은이온 0.01 ~ 1.5wt%; 전도염 5.0 ~ 30wt%; N,N'-디이소프로필티오우레아, 디페닐티오우레아, 디메틸티오우레아, 디에틸티오우레아, 티오우레아디옥사이드로이루어진그룹에서일이상선택되는우레아화합물 0.12 ~ 15wt%; 결정립조정제 0.3 ~ 10wt%; 평활제 0.8 ~ 8wt% 및잔량의초순수를포함하여이루어지는주석-은솔더범프고속도금액에관한것이다.또한, 본발명은상기주석-은솔더범프고속도금액을반도체장치등 전자부품의기판상에접촉시키고 3.0 ~ 20 A/dm의전류밀도를인가하고, 도금속도 1.5 ~ 10 μm/min로도금하고, 주석-은솔더범프내 은의함량이 1.0 ~ 4.0wt% 인것을특징으로하는주석-은솔더범프고속도금방법을제공한다.본발명에따른주석-은솔더범프고속도금액및 이를이용한고속도금방법은고속도금조건에서안정적인도금속도와범프은 함량을가져, 매끄러운도금표면, 균일한범프간의크기를원활하게형성할수 있는이점이있다.
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