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    시아나이드를 함유하지 않는 산성 무광택 은 전기도금 조성물 및 방법
    2.
    发明授权
    시아나이드를 함유하지 않는 산성 무광택 은 전기도금 조성물 및 방법 有权

    公开(公告)号：KR102332676B1

    公开(公告)日：2021-11-30

    申请号：KR1020150025469

    申请日：2015-02-23

    IPC分类号： C25D3/46 ,  C25D3/54

    摘要： 시아나이드를함유하지않는산성은 전기도금조성물은하나이상의산 또는텔루륨염을포함하며, 니켈, 구리또는구리합금과같은금속상에무광택은 침착물을전기도금하기위해사용될수 있다. 무광택은은릴-투-릴및 젯도금에서와같이통상적인도금속도또는높은도금속도로전기도금될수 있다. 시아나이드를함유하지않는산성은 전기도금조성물은전기커넥터, 금속기재마감층, 광학장치및 장식응용과같은전자부품의제조시무광택은을전기도금하는데사용될수 있다.

    주석-은 솔더 범프 고속 도금액 및 이를 이용한 도금 방법
    6.
    发明授权
    주석-은 솔더 범프 고속 도금액 및 이를 이용한 도금 방법 有权
    锡银焊料凸块的高速电镀液及使用该电镀液的方法

    公开(公告)号：KR101722704B1

    公开(公告)日：2017-04-11

    申请号：KR1020150180360

    申请日：2015-12-16

    申请人： 엘티씨에이엠 주식회사

    发明人： 이석호 ,  송정환 ,  전성식 ,  김병탁 ,  임아현 ,  이준우

    IPC分类号： C25D3/30 ,  C25D3/32 ,  C25D3/46 ,  C25D3/60 ,  C25D3/66 ,  C25D5/00 ,  C25D7/12

    摘要： 본발명은고속도금조건하에서주석-은솔더범프고속도금액으로, 주석이온 2.1 ~ 20wt%; 은이온 0.01 ~ 1.5wt%; 전도염 5.0 ~ 30wt%; N,N'-디이소프로필티오우레아, 디페닐티오우레아, 디메틸티오우레아, 디에틸티오우레아, 티오우레아디옥사이드로이루어진그룹에서일이상선택되는우레아화합물 0.12 ~ 15wt%; 결정립조정제 0.3 ~ 10wt%; 평활제 0.8 ~ 8wt% 및잔량의초순수를포함하여이루어지는주석-은솔더범프고속도금액에관한것이다.또한, 본발명은상기주석-은솔더범프고속도금액을반도체장치등 전자부품의기판상에접촉시키고 3.0 ~ 20 A/dm의전류밀도를인가하고, 도금속도 1.5 ~ 10 μm/min로도금하고, 주석-은솔더범프내 은의함량이 1.0 ~ 4.0wt% 인것을특징으로하는주석-은솔더범프고속도금방법을제공한다.본발명에따른주석-은솔더범프고속도금액및 이를이용한고속도금방법은고속도금조건에서안정적인도금속도와범프은 함량을가져, 매끄러운도금표면, 균일한범프간의크기를원활하게형성할수 있는이점이있다.

    摘要翻译： 本发明涉及在高速金条件下锡 - 银焊料块高速充电，2.1至20wt％锡离子; 0.01至1.5重量％的银离子; 导盐5.0〜30wt％; N，N'-二异丙基硫脲，硫脲二苯基，二甲基硫脲，二乙基硫脲，选自二氧化硫脲的组中选择0.12〜15重量％的尿素的至少一种化合物; 晶粒尺寸调节剂0.3〜10重量％ 它涉及eunsol多个凸点高速量的本发明是一种锡 - 均化剂0.8〜8重量％的锡，其包括超纯水是低的。接触的电子部件的基板上的eunsol多个凸点高速量如半导体器件 施加3.0〜20，电流密度安培/分米，电镀速度为1.5〜10微米/分钟为禁止，锡 - 锡eunsol，其特征在于，银的凸块内的内容1.0〜4.0wt％的多 - eunsol更高速金凸块 提供了根据本发明的方法评价。eunsol多个凸点高速值，并使用相同的高速金法将被带到一个稳定均匀的金属辅助beompeueun在高速金条件内容，顺利形成光滑表面电镀均匀的凸块之间的尺寸 有这一点。

    나노 와이어를 이용한 패턴 형성 방법
    7.
    发明公开
    나노 와이어를 이용한 패턴 형성 방법 无效
    使用纳米线的图案形成方法

    公开(公告)号：KR1020160002581A

    公开(公告)日：2016-01-08

    申请号：KR1020140081383

    申请日：2014-06-30

    申请人： 주식회사 네패스

    发明人： 이성복 ,  손혜란 ,  서형석 ,  노치형 ,  김중배 ,  강성철

    IPC分类号： G06F3/041 ,  C25D3/46 ,  H01B5/14

    CPC分类号： G06F3/041 ,  C25D3/46 ,  H01B5/14

    摘要： 본발명은기판에투명전극부를패터닝하는제1차패터닝단계및 상기투명전극부상부에도금막을마련하는제2차패터닝단계를포함하고, 상기도금막의두께는 0.1 내지 1,000㎚이고, 상기도금막은은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 및팔라듐(Pd)를포함하는군에서선택되는어느하나, 또는어느하나이상의합금으로마련되는나노와이어를이용한패턴형성방법에관한것이다.

    摘要翻译： 本发明涉及使用纳米线形成图案的方法。 使用纳米线形成图案的方法包括：将基板上的透明电极单元图案化的第一图案化步骤; 以及在所述透明电极单元的上部准备镀层的第二图案形成工序。 镀层的厚度为0.1〜1000nm，镀层由选自银（Ag），镍（Ni），铜（Cu），金（Au），钯（Pd） ，或者通过使用其中的一种或多种制备的合金形成。

    카본 블랙 및 금속의 복합체
    8.
    发明公开
    카본 블랙 및 금속의 복합체 审中-实审
    碳黑和金属的复合材料

    公开(公告)号：KR1020130100756A

    公开(公告)日：2013-09-11

    申请号：KR1020130022791

    申请日：2013-03-04

    申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨

    发明人： 장베글링거반 ,  스타퍼스린다 ,  프란자에르얀 ,  토벤마이클피.

    IPC分类号： C25D3/02 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50

    CPC分类号： C25D15/00 ,  C25D3/02 ,  C25D3/12 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/54 ,  C25D5/04 ,  C25D5/20 ,  C25D21/10 ,  H01B1/02

    摘要： PURPOSE: A carbon black particle-metal composite is provided not only to obtain high concentration fine particles from an electroplating bath but also to use small-size particles having enough electric conductivity. CONSTITUTION: A carbon black particle-metal composite is a by-product of carbon black nano-particles and a by-product of at least one metal ion supply source. The carbon black is amorphous carbon which has a high ratio of surface area to volume and has electrical conductivity. The nano-particle size of the carbon black is in the range of 5 to 500 nm. The metal ion is selected among a silver ion, a gold ion, a palladium ion, a nickel ion, a copper ion, a tin ion, and an indium ion. The concentration of the carbon black nano-particles in the composite is at least 1 g/L. At least one surfactant is additionally included. The surfactant is selected from alcoholic phosphate ester.

    摘要翻译： 目的：提供炭黑颗粒 - 金属复合体，不仅可以从电镀浴中获得高浓度的细颗粒，而且还可以使用具有足够导电性的小尺寸颗粒。 构成：炭黑颗粒 - 金属复合物是炭黑纳米颗粒和至少一种金属离子供应源的副产物的副产物。 炭黑是具有高比表面积与体积并且具有导电性的无定形碳。 炭黑的纳米粒子尺寸在5〜500nm的范围内。 金离子选自银离子，金离子，钯离子，镍离子，铜离子，锡离子和铟离子。 复合材料中炭黑纳米颗粒的浓度至少为1g / L。 还包括至少一种表面活性剂。 表面活性剂选自酒精磷酸酯。

    비시안계 은 도금액 및 이를 이용한 은 도금층 형성방법
    10.
    发明授权
    비시안계 은 도금액 및 이를 이용한 은 도금층 형성방법 有权
    非氰化物镀银解决方案和使用它形成镀层的方法

    公开(公告)号：KR101115592B1

    公开(公告)日：2012-03-05

    申请号：KR1020110047456

    申请日：2011-05-19

    申请人： 주식회사 에이엔씨코리아

    发明人： 전진

    IPC分类号： C25D3/46 ,  C25D3/56

    CPC分类号： C25D3/46 ,  C25D5/12 ,  H05K3/188

    摘要： PURPOSE: Non-cyanide silver plating solution and a method for forming a silver plating layer using the same are provided to form a micro circuit since when silver plating solution is applied to a PCB, the resist of a circuit pattern is protected. CONSTITUTION: Non-cyanide silver plating solution comprises one of methane sulfonic acid silver, methane sulfonic acid, potassium iodide, iodotyrosine, tris(3-hydroxypropyl) phosphine and their mixture. The silver plating solution comprises one of 0.01~0.05M(mol/l) of methane sulfonic acid silver of 0.05~1.0M(mol/l), methane sulfonic acid of 0.2~0.3 M(mol/l), potassium iodide of 1.0~10.0 M(mol/l), iodotyrosine, tris(3-hydroxypropyl) phosphine and their mixture. The maximum pH of the silver plating solution is 1.

    摘要翻译： 目的：提供非氰化物镀银溶液和使用其形成银镀层的方法以形成微电路，因为当将银镀溶液施加到PCB上时，电路图案的抗蚀剂被保护。 构成：非氰化物镀银溶液包括甲磺酸银，甲磺酸，碘化钾，碘代酪氨酸，三（3-羟丙基）膦及其混合物中的一种。 镀银溶液含有0.05〜1.0M（mol / l）的甲烷磺酸银0.01〜0.05M（mol / l），0.2〜0.3M（mol / l）的甲磺酸，1.0〜 〜10.0M（mol / l），碘酪氨酸，三（3-羟丙基）膦及其混合物。 镀银溶液的最大pH为1。