发明授权
- 专利标题: 양극산화 공정
- 专利标题(英): KR101822705B1 - Anodizing processes
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申请号: KR1020147036618申请日: 2013-05-28
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公开(公告)号: KR101822705B1公开(公告)日: 2018-03-08
- 发明人: 우드훌,찰스,비. , 키플,브아이언,피. , 파쿨라,데이비드,에이. , 탄,탕와이. , 러셀-클라크,피터,엔. , 브라우닝,루씨,이. , 한차크-코너스,줄리에 , 손턴,3세,존,엠. , 요하네센,토마스 , 다떼베,마사시게 , 호워스,리차드 , 젠센,페기 , 폴리,존 , 초이니에레,폴 , 콜맨,마이클 , 필리오드,마이클,케이. , 탄,납타닐,와이.
- 申请人: 애플 인크.
- 申请人地址: * Infinite Loop, Cupertino, California *****, U.S.A.
- 专利权人: 애플 인크.
- 当前专利权人: 애플 인크.
- 当前专利权人地址: * Infinite Loop, Cupertino, California *****, U.S.A.
- 代理商 이상현; 양영준; 정인규; 백만기
- 优先权: US61/689,170 2012-05-29; US13/610,814 2012-09-11; US13/610,813 2012-09-11; US13/610,816 2012-09-11; US13/610,818 2012-09-11
- 国际申请: PCT/US2013/042892 2013-05-28
- 国际公布: WO2013181153 2013-12-05
- 主分类号: C25D11/02
- IPC分类号: C25D11/02 ; C25D11/12 ; C25D11/24 ; B23P11/00
摘要:
금속표면들을보호하고미관적으로개선하는양극산화층들을형성하기위한방법들및 구조체들이기재된다. 일부실시예들에서, 방법들은하단의금속표면이관찰가능하도록하단의금속상에양극산화층을형성하는것을수반한다. 일부실시예들에서, 방법들은각진표면상에제1 양극산화층 및인접한제2 양극산화층을형성하는것을수반하며, 이들두 개양극산화층들사이의계면은규칙적이로균일하다. 금속표면들상의양극산화및 텍스처화된패턴들상에샤프하게정의된모서리들을제공하기위한포토마스킹기법들및 도구들이기재된다. 또한전자디바이스의제조에있어서양극산화저항컴포넌트들을제공하기위한기법들및 도구들이기재된다.
公开/授权文献
- KR1020150017742A 양극산화 공정 公开/授权日:2015-02-17
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