- 专利标题: 세라믹스 재료, 반도체 제조 장치용 부재, 스퍼터링 타겟 부재 및 세라믹스 재료의 제조 방법
- 专利标题(英): KR101881171B1 - Ceramic material, member for semiconductor manufacturing apparatus, sputtering target member and method for producing ceramic material
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申请号: KR1020127013650申请日: 2011-10-11
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公开(公告)号: KR101881171B1公开(公告)日: 2018-07-23
- 发明人: 와타나베모리미치 , 진도아스미 , 가츠다유지 , 사토요스케 , 이소다요시노리
- 申请人: 엔지케이 인슐레이터 엘티디
- 申请人地址: *-** Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken, ***-**** Japan
- 专利权人: 엔지케이 인슐레이터 엘티디
- 当前专利权人: 엔지케이 인슐레이터 엘티디
- 当前专利权人地址: *-** Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken, ***-**** Japan
- 代理商 김태홍; 김진회
- 优先权: JPJP-P-2010-238999 2010-10-25; JPJP-P-2011-135313 2011-06-17; WOPCT/JP2011/069491 2011-08-29
- 国际申请: PCT/JP2011/073330 2011-10-11
- 国际公布: WO2012056876 2012-05-03
- 主分类号: C04B35/581
- IPC分类号: C04B35/581 ; C04B35/04 ; H01L21/31 ; H01L21/3065
摘要:
본발명의세라믹스재료는, 마그네슘, 알루미늄, 산소및 질소를주성분으로하는세라믹스재료로서, 산화마그네슘에질화알루미늄이고용된 MgO-AlN 고용체의결정상을주상으로하는것이다. MgO-AlN 고용체는, CuKα선을이용했을때의 (200)면및 (220)면의 XRD 피크가각각산화마그네슘의입방정의피크와질화알루미늄의입방정의피크사이인 2θ=42.9˚∼44.8˚, 62.3˚∼65.2˚에나타나는것으로하는것이바람직하고, (111)면의 XRD 피크가산화마그네슘의입방정의피크와질화알루미늄의입방정의피크사이인 2θ=36.9˚∼39˚에나타나는것으로하는것이바람직하다.
公开/授权文献
- KR1020130121664A 세라믹스 재료, 반도체 제조 장치용 부재, 스퍼터링 타겟 부재 및 세라믹스 재료의 제조 방법 公开/授权日:2013-11-06
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