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    식각 후처리 방법
    1.
    发明授权
    식각 후처리 방법 有权

    公开(公告)号：KR102481166B1

    公开(公告)日：2022-12-27

    申请号：KR1020150152006

    申请日：2015-10-30

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

    摘要： 반도체소자의제조방법을제공한다. 반도체소자의제조방법은피식각막을플라즈마식각한후, 피식각막표면의손상영역을완전하게제거하는방법을포함한다. 방법은, 플라즈마식각된피식각막으로, 플라즈마장치내 스테이지의전하와동일한전하를갖는제1 후처리가스를이용하여플라즈마일차식각후처리공정하는것을포함한다.

    반도체 ＦｉｎＦＥＴ 디바이스 및 방법
    2.
    发明授权
    반도체 ＦｉｎＦＥＴ 디바이스 및 방법 有权

    公开(公告)号：KR102473596B1

    公开(公告)日：2022-12-01

    申请号：KR1020210027573

    申请日：2021-03-02

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234

    摘要： 방법은, 반도체기판위에마스크층을퇴적하는단계, 패터닝된마스크를형성하도록상기마스크층을에칭하는단계로서, 상기패터닝된마스크의측벽은제1 측벽영역, 제2 측벽영역, 및제3 측벽영역을포함하고, 상기제1 측벽영역은상기제2 측벽영역보다상기반도체기판으로부터더 멀고, 상기제2 측벽영역은상기제3 측벽영역보다상기반도체기판으로부터더 멀고, 상기제2 측벽영역은상기제1 측벽영역으로부터그리고상기제3 측벽영역으로부터측방향으로돌출하는것인, 상기에칭하는단계, 핀을형성하도록상기패터닝된마스크를사용하여상기반도체기판을에칭하는단계, 상기핀 위에게이트스택을형성하는단계, 및상기게이트스택에인접한소스및 드레인영역을상기핀에형성하는단계를포함한다.

    마이크로전자 공작물의 제조를 위해 실리콘 질화물층을 영역 선택 에칭하는 방법
    3.
    发明授权
    마이크로전자 공작물의 제조를 위해 실리콘 질화물층을 영역 선택 에칭하는 방법 有权

    公开(公告)号：KR102469451B1

    公开(公告)日：2022-11-21

    申请号：KR1020190075182

    申请日：2019-06-24

    IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

    摘要： 개시하는실시예들은, 이온비임및/또는중성비임기법등의비임전달기법을이용하여실리콘질화물층을수소이온/라디칼및 이에후속하여불소이온/라디칼에순차적으로노출시킴으로써, 마이크로전자공작물의제조를위한실리콘질화물의영역선택에칭을제공한다. 영역선택에칭프로세스는수소이온을이용하는경우에비등방성이고수소라디칼을이용하는경우에등방성이다. 또한, 마이크로전자공작물을위해기판상에재료의스퍼터링은개시하는실시예들을위해필요하지않다. 또한, 종래의플라즈마처리기법에의해제공되는대면적에칭과는대조적으로, 이온비임및/또는중성비임기법을이용함으로써, 실리콘질화물의영역선택에칭이달성된다. 소정실시예의경우, 본명세서에서설명하는이온/중성비임기법은임의의마스크의사용을필요로하지않고실리콘질화물하드마스크를제고하는데에이용된다.

    고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자의 제조 방법
    4.
    发明授权
    고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자의 제조 방법 有权

    公开(公告)号：KR102468312B1

    公开(公告)日：2022-11-17

    申请号：KR1020197024927

    申请日：2018-04-17

    IPC分类号： H01L27/146 ,  G02B5/30 ,  H01L21/3065 ,  H04N23/12

    摘要： 혼색을저감한고정밀이며감도가높은고체촬상소자및 그제조방법을제공한다. 본실시형태에관한고체촬상소자는, 복수의광전변환소자(11)가이차원적으로배치된반도체기판(10) 상에, 각광전변환소자(11)에대응하여복수색의색 필터(14, 15, 16)를배치한색 필터패턴을갖는고체촬상소자이며, 반도체기판(10)과색 필터(14, 15, 16) 사이에형성된가시광을투과하는층과, 인접하는색 필터(14, 15, 16) 사이에형성된가시광을투과하는층이연속한격벽층(12)이형성되고, 복수색의색 필터(14, 15, 16) 중의가장면적이넓은색 필터(14)의에지부와격벽층(12)에포함되는에지부가연속하고있고, 가장면적이넓은색 필터(14)의측벽에는, 격벽층(12)을에칭하였을때의반응생성물층(40)이형성되어있다.