发明公开
- 专利标题： ＡｌχＧａ1-χＮ 결정의 성장 방법 및 ＡｌχＧａ1-χＮ 결정 기판
- 专利标题（英）： Method for growing alxga1-xn crystal, and alxga1-xn crystal substrate
- 专利标题（中）： 生长ALXGA1-XN晶体和ALXGA1-XN晶体基板的方法
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申请号： KR1020087030971申请日： 2007-06-15
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公开(公告)号： KR1020090018652A公开(公告)日： 2009-02-20
- 发明人: 미야나가미치마사 , 미즈하라나호 , 나카하타히데아키
- 申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
- 专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 当前专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
- 代理商 김태홍; 신정건
- 优先权： JPJP-P-2006-170302 2006-06-20
- 国际申请： PCT/JP2007/062073 2007-06-15
- 国际公布： WO2007148615 2007-12-27
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
Provided are a method for manufacturing AlxGa1-xN crystals by which large crystals having low dislocation density can be obtained, and AlxGa1-xN crystals. The method for growing the AlxGa1-xN crystals (0
公开/授权文献
- KR101025530B1 ＡｌχＧａ1-χＮ 결정의 성장 방법 및 ＡｌχＧａ1-χＮ 결정 기판 公开/授权日：2011-04-04
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