发明公开
KR1020110116114A 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 질화물 반도체 결정 및 질화물 반도체 결정의 제조 장치
无效 - Withdrawn
用于生产氮化物半导体晶体，氮化物半导体晶体的方法和用于生产氮化物半导体晶体的装置
- 专利标题： 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 질화물 반도체 결정 및 질화물 반도체 결정의 제조 장치
- 专利标题（英）： Method for producing nitride semiconductor crystal, nitride semiconductor crystal, and apparatus for producing nitride semiconductor crystal
- 专利标题（中）： 用于生产氮化物半导体晶体，氮化物半导体晶体的方法和用于生产氮化物半导体晶体的装置
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申请号： KR1020117002960申请日： 2010-01-13
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公开(公告)号： KR1020110116114A公开(公告)日： 2011-10-25
- 发明人: 사토잇세이 , 미야나가미치마사 , 야마모토요시유키
- 申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
- 专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 当前专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
- 代理商 김태홍
- 优先权： JPJP-P-2009-007394 2009-01-16; JPJP-P-2009-293994 2009-12-25
- 国际申请： PCT/JP2010/050257 2010-01-13
- 国际公布： WO2010082574 2010-07-22
- 主分类号： C30B29/38
- IPC分类号： C30B29/38 ; C30B23/06 ; H01L21/02
摘要：
질화물 반도체 결정의 제조 방법에서는 이하의 공정이 실시된다. 우선, 원료(17)를 내부에 배치하기 위한 도가니(101)를 준비한다. 도가니(101) 내에서 원료(17)를 가열함으로써 승화시키고, 원료 가스를 석출시킴으로써 질화물 반도체 결정을 성장시킨다. 준비 공정에서는, 원료(17)보다 융점이 높은 금속으로 이루어진 도가니(101)를 준비한다.
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