发明公开
- 专利标题： 레지스트 패턴 형성 방법 및 감방사선성 수지 조성물
- 专利标题（英）： Resist pattern formation method and radiation-sensitive resin composition
- 专利标题（中）： 电阻图案形成方法和辐射敏感性树脂组合物
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申请号： KR1020137009902申请日： 2011-10-11
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公开(公告)号： KR1020130082505A公开(公告)日： 2013-07-19
- 发明人: 이토,고지 , 사카키바라,히로카즈 , 호리,마사후미 , 후루카와,다이이치
- 申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
- 申请人地址： *-*-*, Higashi-Shinbashi, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 제이에스알 가부시끼가이샤
- 当前专利权人： 제이에스알 가부시끼가이샤
- 当前专利权人地址： *-*-*, Higashi-Shinbashi, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理商 장수길; 오현식; 신수범; 이석재; 김성완
- 优先权： JPJP-P-2010-234989 2010-10-19
- 国际申请： PCT/JP2011/073356 2011-10-11
- 国际公布： WO2012053396 2012-04-26
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; H01L21/027 ; G03F7/038 ; G03F7/32
摘要：
본 발명은 (1) 감방사선성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 레지스트막 형성 공정, (2) 노광 공정, 및 (3) 유기 용매를 80질량% 이상 함유하는 현상액을 이용하는 현상 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법으로서, 상기 감방사선성 수지 조성물이 [A] 산해리성기를 갖는 베이스 중합체, [B] [A] 중합체보다 불소 원자 함유율이 높은 중합체, [C] 감방사선성 산 발생체, [D] 용매, 및 [E] [D] 용매의 비유전율보다 15 이상 큰 비유전율을 갖는 화합물을 함유하고, 상기 [E] 화합물이 [A] 중합체 100질량부에 대하여 10질량부 이상 200질량부 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
公开/授权文献
- KR101393197B1 레지스트 패턴 형성 방법 및 감방사선성 수지 조성물 公开/授权日：2014-05-08
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