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公开(公告)号：KR1020120090821A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020120011097
申请日：2012-02-03
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 사카키바라,히로카즈 , 미야타,히로무 , 이토,고지 , 후루카와,다이이치
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/0045 , G03F7/0382
摘要： PURPOSE: A radiation-sensitive resin composition for forming resist patterns is provided to improve exposure latitude, depth of focus, critical dimension uniformity, and mask error enhancement factor. CONSTITUTION: A radiation-sensitive resin composition for forming resist patterns includes a polymer with an acid-labile group and a radiation-sensitive acid generating member. The composition uses a developing solution containing 80 mass% or more of an organic solvent. A contrast value derived from a resist sensitivity curve is in a range between 5.0 and 30.0 if the organic solvent is used for a developing process. The organic solvent is at least one selected from a group including C3-7 carboxylic acid alkyl ester and C3-10 dialkylketon. The polymer includes structural units represented by chemical formulas 1 and 2.
摘要翻译： 目的：提供用于形成抗蚀剂图案的辐射敏感性树脂组合物，以改善曝光宽容度，聚焦深度，临界尺寸均匀性和掩模误差增强因子。 构成：用于形成抗蚀剂图案的辐射敏感性树脂组合物包括具有酸不稳定基团的聚合物和辐射敏感性酸产生部件。 该组合物使用含有80质量％以上的有机溶剂的显影液。 如果将有机溶剂用于显影过程，则从抗蚀剂敏感度曲线导出的对比度值在5.0至30.0的范围内。 有机溶剂是选自包含C 3-7羧酸烷基酯和C 3-10二烷基酮的基团中的至少一种。 聚合物包括由化学式1和2表示的结构单元。
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公开(公告)号：KR1020130084325A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：KR1020137015721
申请日：2011-10-11
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 이토,고지 , 사카키바라,히로카즈 , 호리,마사후미 , 후루카와,다이이치
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/028 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/0047 , G03F7/028 , G03F7/038 , H01L21/027
摘要： 본 발명은 유기 용매를 함유하는 현상액을 이용한 경우에 있어서, 미싱 콘택트 홀의 발생이 억제되며, 리소그래피 특성이 우수한 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 해결수단은, 유기 용매가 80질량% 이상인 현상액을 이용하는 네거티브형 레지스트 패턴 형성 방법용의 감방사선성 수지 조성물로서, [A] 산해리성기를 갖는 베이스 중합체, [B] [A] 중합체보다 불소 원자 함유율이 높은 중합체, [C] 감방사선성 산 발생체, [D] 용매, 및 [E] [D] 용매의 비유전율보다 15 이상 큰 비유전율을 갖는 화합물을 함유하고, 상기 [A] 중합체가 하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위를 가지며, 상기 [E] 화합물이 [A] 중합체 100질량부에 대하여 10질량부 이상 200질량부 이하 함유되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020130082505A
公开(公告)日：2013-07-19
申请号：KR1020137009902
申请日：2011-10-11
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 이토,고지 , 사카키바라,히로카즈 , 호리,마사후미 , 후루카와,다이이치
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/038 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/0047 , G03F7/202
摘要： 본 발명은 (1) 감방사선성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 레지스트막 형성 공정, (2) 노광 공정, 및 (3) 유기 용매를 80질량% 이상 함유하는 현상액을 이용하는 현상 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법으로서, 상기 감방사선성 수지 조성물이 [A] 산해리성기를 갖는 베이스 중합체, [B] [A] 중합체보다 불소 원자 함유율이 높은 중합체, [C] 감방사선성 산 발생체, [D] 용매, 및 [E] [D] 용매의 비유전율보다 15 이상 큰 비유전율을 갖는 화합물을 함유하고, 상기 [E] 화합물이 [A] 중합체 100질량부에 대하여 10질량부 이상 200질량부 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101907705B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020137010075
申请日：2011-10-18
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 사카키바라,히로카즈 , 호리,마사후미 , 후루카와,다이이치 , 이토,고지
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/039 , C08F220/10 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , C07C381/12 , C08F220/10 , C08F220/24 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/027 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/325 , Y10S430/114 , Y10S430/115
摘要： 본발명의목적은현상후의노광부표면의러프니스및 미싱콘택트홀의발생을억제함과동시에, 해상도, 원형성등의리소그래피특성이우수한패턴형성방법및 이패턴형성방법에최적인감방사선성조성물을제공하는것이다. 본발명은 (1) 감방사선성조성물을이용하여기판상에레지스트막을형성하는공정, (2) 노광공정, 및 (3) 현상공정을포함하는패턴형성방법으로서, 상기 (3) 현상공정에있어서의현상액이유기용매를 80질량% 이상함유하고, 상기감방사선성조성물이 [A] 산해리성기를갖는구조단위를포함하는중합체, 및 [B] 감방사선성산 발생체를포함하는 2 이상의성분을함유하고, 상기감방사선성조성물중 어느하나의성분이하기화학식 (1)로표시되는기를갖는것을특징으로하는패턴형성방법이다.
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公开(公告)号：KR101393197B1
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020137009902
申请日：2011-10-11
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 이토,고지 , 사카키바라,히로카즈 , 호리,마사후미 , 후루카와,다이이치
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/038 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： 본발명은 (1) 감방사선성수지조성물을기판상에도포하는레지스트막형성공정, (2) 노광공정, 및 (3) 유기용매를 80질량% 이상함유하는현상액을이용하는현상공정을포함하는레지스트패턴형성방법으로서, 상기감방사선성수지조성물이 [A] 산해리성기를갖는베이스중합체, [B] [A] 중합체보다불소원자함유율이높은중합체, [C] 감방사선성산 발생체, [D] 용매, 및 [E] [D] 용매의비유전율보다 15 이상큰 비유전율을갖는화합물을함유하고, 상기 [E] 화합물이 [A] 중합체 100질량부에대하여 10질량부이상 200질량부이하함유하는것을특징으로하는레지스트패턴형성방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020120098566A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020120084656
申请日：2012-08-02
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 사카키바라,히로카즈 , 미야타,히로무 , 이토,고지 , 후루카와,다이이치
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/038 , G03F7/0382
摘要： PURPOSE: A radiation-sensitive resin composition for forming resist patterns is provided to improve exposure latitude, depth of focus, critical dimension uniformity, and mask error enhancement factor. CONSTITUTION: A radiation-sensitive resin composition for forming resist patterns includes a polymer with an acid-labile group and a radiation-sensitive acid generator. The radiation-sensitive resin composition uses a developer with 80 mass% or more of an organic solvent. If the organic solvent is used for a developing process, contrast value γ from a resist sensitive curve is in a range between 5.0 and 30.0. The organic solvent is at least one selected from a group including a C3-7 carboxylic alkyl ether and a C3-10 dialkyl ketone. The polymer with the acid-labile group includes a structural unit represented by chemical formula 1 and a structural unit represented by chemical formula 2.
摘要翻译： 目的：提供用于形成抗蚀剂图案的辐射敏感性树脂组合物，以改善曝光宽容度，聚焦深度，临界尺寸均匀性和掩模误差增强因子。 构成：用于形成抗蚀剂图案的辐射敏感性树脂组合物包括具有酸不稳定基团的聚合物和辐射敏感性酸发生剂。 辐射敏感性树脂组合物使用具有80质量％以上有机溶剂的显影剂。 如果将有机溶剂用于显影处理，则来自抗蚀剂敏感曲线的对比度值γ在5.0和30.0之间的范围内。 有机溶剂是选自包括C 3-7羧酸烷基醚和C 3-10二烷基酮的基团中的至少一种。 具有酸不稳定基团的聚合物包括由化学式1表示的结构单元和由化学式2表示的结构单元。
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公开(公告)号：KR101921367B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020147008051
申请日：2011-10-11
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 이토,고지 , 사카키바라,히로카즈 , 호리,마사후미 , 후루카와,다이이치
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： 본발명은 (1) 감방사선성수지조성물을기판상에도포하는레지스트막형성공정, (2) 노광공정, 및 (3) 유기용매를 80질량% 이상함유하는현상액을이용하는현상공정을포함하는레지스트패턴형성방법으로서, 상기감방사선성수지조성물이 [A] 산해리성기를갖는베이스중합체, [B] [A] 중합체보다불소원자함유율이높은중합체, [C] 감방사선성산 발생체, [D] 용매, 및 [E] [D] 용매의비유전율보다 15 이상큰 비유전율을갖는화합물을함유하고, 상기 [E] 화합물이 [A] 중합체 100질량부에대하여 10질량부이상 200질량부이하함유하는것을특징으로하는레지스트패턴형성방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101774060B1
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020120084656
申请日：2012-08-02
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 사카키바라,히로카즈 , 미야타,히로무 , 이토,고지 , 후루카와,다이이치
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： 본발명의목적은감도를충분히만족시키고, EL, DOF, CDU 및 MEEF가우수한감방사선성수지조성물을제공하는것이다. 본발명의해결수단은유기용매가 80 질량% 이상인현상액을사용하는레지스트패턴형성용감방사선성수지조성물이며, 상기감방사선성수지조성물이 [A] 산해리성기를갖는중합체및 [B] 감방사선성산 발생체를함유하고, 상기유기용매로현상한경우의레지스트감도곡선으로부터산출되는콘트라스트값γ가 5.0 이상 30.0 이하인것을특징으로하는레지스트패턴형성용감방사선성수지조성물이다. 상기유기용매는탄소수 3 내지 7의카르복실산알킬에스테르, 및탄소수 3 내지 10의디알킬케톤으로이루어지는군으로부터선택되는적어도 1종의유기용매인것이바람직하다.
摘要翻译： 本发明的目的是提供一种充分满足感光度并且能够实现EL，DOF，CDU和MEEF的辐射敏感树脂组合物。 解决本发明的手段是一种有机溶剂，并且，通过显影溶液的质量用小于80％的抗蚀剂图案形成勇敢的放射线敏感性树脂组合物，其中对辐射敏感的树脂组合物[A]的聚合物和[B]城山生成具有酸可裂解基团的辐射 由有机溶剂显影时的抗蚀剂灵敏度曲线算出的对比度值γ为5.0〜30.0。 有机溶剂优选为选自具有3至7个碳原子的羧酸烷基酯和具有3至10个碳原子的二烷基酮的至少一种有机溶剂。
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公开(公告)号：KR101279715B1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：KR1020120057926
申请日：2012-05-31
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 후루카와,다이이치 , 사카키바라,히로카즈
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/095 , G03F7/325
摘要： 본 발명의 과제는 레지스트막의 패턴 형성 공정에서의 막 감소를 억제하는 동시에, 얻어지는 패턴의 LWR을 저감시킬 수 있어, 노광 여유도(EL), 초점 심도(DOF) 등을 지표로 한 리소그래피 특성이 우수한 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 해결수단은, (1) 포토레지스트 조성물을 사용해서 기판 위에 레지스트막을 형성하는 공정, (2) 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 (3) 상기 노광된 레지스트막을, 유기 용매를 함유하는 네거티브형 현상액으로 현상하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법이며, 상기 포토레지스트 조성물이, [A] 산의 작용에 의해 해리되는 산해리성기를 포함하는 구조 단위 (I)을 갖고, 이 산해리성기의 해리에 의해 상기 현상액에 대한 용해성이 감소하는 중합체, 및 [B] 감방사선성 산 발생체를 함유하고, 상기 현상액이 질소 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법이다.
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