Invention Publication
- Patent Title: 신규 오늄염 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
- Patent Title (English): Novel onium salt compound, resist composition, and pattern forming process
- Patent Title (中): 新型盐酸盐化合物,耐腐蚀组合物和图案形成工艺
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Application No.: KR1020150115311Application Date: 2015-08-17
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Publication No.: KR1020160023566APublication Date: 2016-03-03
- Inventor: 오하시마사키 , 하타케야마준 , 후쿠시마마사히로
- Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- Applicant Address: 일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 *쪼메 *방 *고
- Assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- Current Assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- Current Assignee Address: 일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 *쪼메 *방 *고
- Agent 김진회; 김태홍
- Priority: JPJP-P-2014-168165 2014-08-21
- Main IPC: C07D209/04
- IPC: C07D209/04 ; C07C381/12 ; C07D231/56 ; C07D215/02 ; C07D241/36 ; G03F7/004
Abstract:
식 (1)로표시되는오늄염화합물.[Z는식 (a)로표시되는술포늄양이온또는식 (b)로표시되는요오도늄양이온.는, 질소원자를개재하는탄소수 2∼5의환상구조를나타낸다. 식 (1)에있어서는, 치환기 -L-CO(L은단결합또는 2가탄화수소기)를반드시하나갖는다.]본발명의레지스트조성물에포함되는오늄염화합물은, 산확산제어제로서양호하게기능하고, 결과적으로 MEF 및 LWR이작으며, 초점심도가우수하여고해상인패턴프로파일을구축할수 있다.
Public/Granted literature
- KR101894621B1 신규 오늄염 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 Public/Granted day:2018-09-03
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