Invention Publication
KR1020160023566A 신규 오늄염 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 审中-实审
新型盐酸盐化合物,耐腐蚀组合物和图案形成工艺

신규 오늄염 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
Abstract:
식 (1)로표시되는오늄염화합물.[Z는식 (a)로표시되는술포늄양이온또는식 (b)로표시되는요오도늄양이온.는, 질소원자를개재하는탄소수 2∼5의환상구조를나타낸다. 식 (1)에있어서는, 치환기 -L-CO(L은단결합또는 2가탄화수소기)를반드시하나갖는다.]본발명의레지스트조성물에포함되는오늄염화합물은, 산확산제어제로서양호하게기능하고, 결과적으로 MEF 및 LWR이작으며, 초점심도가우수하여고해상인패턴프로파일을구축할수 있다.
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