-
公开(公告)号:KR102210293B1
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:KR1020180123148
申请日:2018-10-16
申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC分类号: G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/26 , C07C309/24
摘要: 산불안정기를갖는반복단위를포함하는베이스수지, 및술폰산의금속염을포함하는레지스트재료는고감도및 고해상성을나타내고, 노광후의패턴형상이양호하며최소 LWR 또는개선된 CDU을갖는다.
-
-
-
-
公开(公告)号:KR102032019B1
公开(公告)日:2019-10-14
申请号:KR1020160095365
申请日:2016-07-27
申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC分类号: C07C309/02 , C07D493/06 , C07D493/14 , C08F20/38 , G03F7/004 , G03F7/32 , G03F7/20 , G03F7/40 , G03F1/22
-
公开(公告)号:KR102019555B1
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:KR1020170123927
申请日:2017-09-26
申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC分类号: C09J11/06 , C09J9/02 , C09J183/04 , C09J133/00 , C09J175/04 , C09J11/04 , C07C211/62 , A61B5/0408 , H01B1/12
-
公开(公告)号:KR102019554B1
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:KR1020170120456
申请日:2017-09-19
申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC分类号: C09J11/06 , C09J9/02 , C09J183/04 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J157/00 , A61B5/0245 , A61B5/0408 , A61B5/0478 , A61B5/0492 , C08K3/04 , C08K3/22 , C08K5/42
-
-
公开(公告)号:KR101920165B1
公开(公告)日:2018-11-19
申请号:KR1020170119730
申请日:2017-09-18
申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
CPC分类号: G03F7/0045 , C07C69/753 , C07C69/76 , C07C69/78 , C07C303/32 , C07C309/04 , C07C309/06 , C07C309/09 , C07C309/17 , C07C309/19 , C07C309/24 , C08F212/02 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/38 , C08F224/00 , C08F228/02 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , C08F2220/303 , C08F2220/382 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/2037 , G03F7/30 , G03F7/38
摘要: 본발명은, 증감효과가높고, 산확산을억제하는효과도가지며, 해상성, LWR, CDU가양호한레지스트재료및 이것을이용하는패턴형성방법을제공하는것을목적으로한다. 상기과제는, 베이스폴리머와, 요오드화방향족기를갖는카르복실산의, 2,5,8,9-테트라아자-1-포스파비시클로[3.3.3]운데칸염, 비구아니드염 또는포스파젠염을포함하는레지스트재료에의해해결된다.
-
公开(公告)号:KR101894621B1
公开(公告)日:2018-09-03
申请号:KR1020150115311
申请日:2015-08-17
申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC分类号: C07D209/04 , C07C381/12 , C07D231/56 , C07D215/02 , C07D241/36 , G03F7/004
CPC分类号: G03F7/0045 , C07D209/04 , C07D209/08 , C07D209/18 , C07D209/42 , C07D209/60 , C07D209/62 , C07D215/06 , C07D215/14 , C07D215/48 , C07D215/50 , C07D231/06 , C07D231/12 , C07D231/56 , C07D233/18 , C07D235/06 , C07D235/08 , C07D241/44 , C07D249/18 , C07D249/20 , C07D261/20 , C07D263/56 , C07D263/58 , C07D275/06 , C07D277/64 , C07D277/68 , C07D277/74 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/2053 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要: 식 (1)로표시되는오늄염화합물.[Z는식 (a)로표시되는술포늄양이온또는식 (b)로표시되는요오도늄양이온.는, 질소원자를개재하는탄소수 2∼5의환상구조를나타낸다. 식 (1)에있어서는, 치환기 -L-CO(L은단결합또는 2가탄화수소기)를반드시하나갖는다.]본발명의레지스트조성물에포함되는오늄염화합물은, 산확산제어제로서양호하게기능하고, 결과적으로 MEF 및 LWR이작으며, 초점심도가우수하여고해상인패턴프로파일을구축할수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-