Invention Publication
- Patent Title: 양자점을 포함하는 전자 소자
- Patent Title (English): Electronic devices including quantum dots
- Patent Title (中): 电子设备包括量子点
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Application No.: KR1020160183037Application Date: 2016-12-29
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Publication No.: KR1020170078553APublication Date: 2017-07-07
- Inventor: 김태형 , 민지현 , 김용욱 , 장은주
- Applicant: 삼성전자주식회사
- Applicant Address: ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- Assignee: 삼성전자주식회사
- Current Assignee: 삼성전자주식회사
- Current Assignee Address: ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- Agent 팬코리아특허법인
- Priority: KR1020150189007 2015-12-29
- Main IPC: H01L33/04
- IPC: H01L33/04 ; H01L33/50 ; H01L33/26
Abstract:
440 nm 내지 480 nm 사이의발광피크파장(peak emission wavelength)을가지는광원; 및상기광원위에배치되는광 전환층을포함하되, 상기광 전환층은적색광을방출하는제1 양자점과녹색광을방출하는제2 양자점을포함하고, 상기제1 양자점및 제2 양자점중 적어도하나는, 페로브스카이트결정구조를가지는페로브스카이트양자점을포함하며, 상기페로브스카이트양자점은하기화학식 1로나타내어지고화합물을포함하는전자소자에대한것이다: [화학식 1] ABX여기서, A는 Rb, Cs, Fr, 및이들의조합으로부터선택되는 IA족금속, NR(R 은수소원자또는치환또는미치환의 C1 내지 C10의직쇄또는분지쇄의알킬기), [CH(NH)], 또는이들의조합이고, B는 Ge, Si, Sn, Pb, 및이들의조합으로부터선택되는 IVA족금속이고, X는 F, Cl, Br, 및 I로부터선택되는 1종이상의할로겐, BF, 또는이들의조합이고, α는 0 내지 3 의수이다.
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