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公开(公告)号：KR102252445B1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：KR1020190074460
申请日：2019-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 제1 반도체나노결정을포함하는코어및 상기코어상에배치되고제2 반도체나노결정및 도펀트를포함하는쉘을포함하되, 상기제1 반도체나노결정은 III-V족화합물을포함하고, 상기제2 반도체나노결정은, 아연(Zn), 셀레늄(Se), 및황(S)을포함하고, 상기도펀트는, 리튬, Zn2+의유효이온반경(effective ionic radius) 보다작은유효이온반경을가지는 2A족금속, Zn2+의유효이온반경보다작은이온반경을가지는 3A족금속, 및이들의조합으로부터선택되는도펀트를포함하는양자점과, 그제조방법, 및이를포함하는복합체및 전자소자에대한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170049452A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020160141649
申请日：2016-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08K3/16 , C08K2201/001 , C09K11/02 , C09K11/616 , C09K11/665 , C09K11/88 , C09K11/881 , C09K11/883 , H01L27/322 , H01L2251/5369 , Y10S977/774 , Y10S977/896 , Y10S977/95
Abstract: 하기화학식 1로나타내어지고화합물을포함하고페로브스카이트결정구조를가지는양자점과그 제조방법및 이를포함하는양자점-폴리머복합체및 전자소자에대한것이다: [화학식 1] ABX여기서, A, B, X,α는위에서정의된바와같음.
Abstract translation: 本发明涉及具有由下式1表示的钙钛矿晶体结构并具有化合物的量子点，其制备方法和量子点 - 聚合物复合物以及包含该量子点的电子器件： α如上所定义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170074585A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150184033
申请日：2015-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/04 , C09K11/025 , C09K11/615 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/24 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/34
Abstract: 제1 반도체나노결정을포함하는코어및 상기코어상에배치된결정질또는비정질물질을포함하는쉘을포함하는코어쉘구조를가지고, 상기쉘에 1종이상의할로겐을포함하며, 카드뮴을포함하지않는양자점으로서, 개선된열소광특성을가지는양자점, 그제조방법, 및이를포함하는전자소자를제공한다.
Abstract translation: 第一具有芯 - 壳结构，其包括，其包括设置在所述芯和在所述芯包括半导体纳米晶体的结晶或无定形材料的壳，并且所述壳包含所述一个构件上的卤素，量子点不包含镉 如，它提供了包括具有改进的热淬火特性的量子点，制造的方法，并且该电子装置。
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公开(公告)号：KR1020170078553A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020160183037
申请日：2016-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/665 , C09K11/703 , C09K11/88 , G02B6/005 , G02F1/133514 , G02F1/133621 , G02F2001/133614 , G02F2202/36 , H01L27/15
Abstract: 440 nm 내지 480 nm 사이의발광피크파장(peak emission wavelength)을가지는광원; 및상기광원위에배치되는광 전환층을포함하되, 상기광 전환층은적색광을방출하는제1 양자점과녹색광을방출하는제2 양자점을포함하고, 상기제1 양자점및 제2 양자점중 적어도하나는, 페로브스카이트결정구조를가지는페로브스카이트양자점을포함하며, 상기페로브스카이트양자점은하기화학식 1로나타내어지고화합물을포함하는전자소자에대한것이다: [화학식 1] ABX여기서, A는 Rb, Cs, Fr, 및이들의조합으로부터선택되는 IA족금속, NR(R 은수소원자또는치환또는미치환의 C1 내지 C10의직쇄또는분지쇄의알킬기), [CH(NH)], 또는이들의조합이고, B는 Ge, Si, Sn, Pb, 및이들의조합으로부터선택되는 IVA족금속이고, X는 F, Cl, Br, 및 I로부터선택되는 1종이상의할로겐, BF, 또는이들의조합이고, α는 0 내지 3 의수이다.
Abstract translation: 具有在440nm和480nm之间的峰值发射波长的光源; 并包括：布置在所述光源的光转换层，所述光转换层和发出第一量子点和所述绿色光的第二量子点，其发射红色光，所述第一量子点中的至少一个和所述第二量子点是， 钙钛矿包括具有晶体结构的钙钛矿量子点，所述钙钛矿型量子点涉及一种电子装置，包括：[式1]其中ABX，一个为Rb：的化合物由下面的式1表示 ，选自由Cs，Fr及其组合组成的组的IA族金属，NR（R为氢原子，取代或未取代的C1至C10直链或支链烷基），CH（NH） B为选自Ge，Si，Sn，Pb及其组合的IVA族金属，X为选自F，Cl，Br， ，alpha是从0到3的数字。
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公开(公告)号：KR1020170036557A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150135885
申请日：2015-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/883 , B82Y20/00 , C09K11/02 , C09K11/70 , Y10S977/774 , Y10S977/95
Abstract: 제1 반도체물질을포함하는코어; 상기코어상에배치된제2 반도체물질을포함하는쉘을포함하며, 카드뮴을포함하지않는반도체나노결정입자로서, 상기쉘은적어도 2개의브랜치(branch) 및상기적어도 2개의브랜치를연결하는하나이상의밸리부 (valley portion)를가지며, 상기제1 반도체물질은상기제2 반도체물질과다른반도체나노결정입자와이를포함하는전자소자를제공한다.
Abstract translation: 包含第一半导体材料的核心; 以及包括设置在所述核心上的第二半导体材料的外壳，其中所述外壳包括至少两个分支和连接所述至少两个分支的至少一个分支， 其中第一半导体材料提供与第二半导体材料不同的半导体纳米晶体颗粒以及包含该第一半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：KR1020170047635A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150147989
申请日：2015-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335 , G02F1/017
CPC classification number: G02F1/133603 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G02B6/0026 , G02B6/0046 , G02B6/005 , G02B6/0051 , G02B6/0068 , G02B6/0073 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F2001/133614 , G02F2202/36 , H01L33/502 , H01L33/504 , Y10S977/774 , Y10S977/825 , Y10S977/95 , Y10S977/952
Abstract: 발광소자및 상기발광소자에서방출되는광을백색광으로변환하여방출하는광변환층을포함하고, 상기광변환층은매트릭스수지와양자점을포함하고, 상기백색광은피크파장이약 525 nm 내지약 528 nm 사이에있고반치폭이약 40 nm 이하인녹색광성분과피크파장이약 625 nm 내지약 645 nm인영역에있는적색광성분을포함하고, 상기백색광은표시장치가 Adobe RGB 색영역과약 99.0% 이상의일치율을보이는색 영역을표시할수 있는색순도의적색광성분, 녹색광성분및 청색광성분을포함하는광원및 백라이트유닛을제공한다.
Abstract translation: 其中光转换层包含基质树脂和量子点，其中白光具有约525nm至约528nm的峰值波长 并且具有在约625nm至约645nm范围内的峰值波长的红光成分，其中白光具有与Adobe RGB色域约99.0％或更多的符合率 并且，背光单元包括能够显示色域的红光成分，绿光成分和颜色纯度的蓝光成分。
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