- 专利标题: 반도체 처리 챔버 다중스테이지 혼합 장치
- 专利标题(英): KR102223806B1 - Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
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申请号: KR1020190035834申请日: 2019-03-28
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公开(公告)号: KR102223806B1公开(公告)日: 2021-03-08
- 发明人: 사미르,메흐메트투그룰 , 양,동칭
- 申请人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址: **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理商 양영준; 백만기
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67 ; H05H1/46
摘要:
예시적인반도체처리시스템들은처리챔버를포함할수 있고, 처리챔버와결합된원격플라즈마유닛을포함할수 있다. 예시적인시스템들은또한, 원격플라즈마유닛과처리챔버사이에결합된혼합매니폴드를포함할수 있다. 혼합매니폴드는제1 단부및 제1 단부반대쪽의제2 단부를특징으로할 수있고, 제2 단부에서처리챔버와결합될수 있다. 혼합매니폴드는, 혼합매니폴드를통하는중앙채널을한정할수 있고, 혼합매니폴드의외부를따라포트를한정할수 있다. 포트는혼합매니폴드의제1 단부내에한정된제1 트렌치와유체적으로결합될수 있다. 제1 트렌치는제1 내측측벽에서의내측반경및 외측반경을특징으로할 수있고, 제1 트렌치는제1 내측측벽을통해중앙채널로의유체접근을제공할수 있다.
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