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KR102380914B1 산화물 소결체, 스퍼터링 타깃 및 산화물 박막의 제조 방법 有权

  • 专利标题： 산화물 소결체, 스퍼터링 타깃 및 산화물 박막의 제조 방법
  • 专利标题（英）： OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
  • 申请号： KR1020197036451
    申请日： 2018-08-29
  • 公开(公告)号： KR102380914B1
    公开(公告)日： 2022-04-01
  • 优先权： JPJP-P-2018-080072 2018-04-18
  • 国际申请： PCT/JP2018/032028 2018-08-29
  • 国际公布： WO2019202753 2019-10-24
  • 主分类号： C04B35/453
  • IPC分类号： C04B35/453 ;  C23C14/08 ;  C23C14/34 ;  H01L21/203
산화물 소결체, 스퍼터링 타깃 및 산화물 박막의 제조 방법
摘要：
실시형태의일 태양에관한산화물소결체는, 인듐, 갈륨및 아연을, 이하의식 (1) 내지 (3)을만족시키는비율로포함하는산화물소결체이며, 단상의결정상으로구성되고, 결정상의평균입경이 15.0㎛이하이다. JPEG112019127325734-pct00026.jpg6116JPEG112019127325734-pct00027.jpg6116JPEG112019127325734-pct00028.jpg7117
摘要（英）：

An oxide sintered body pertaining to an embodiment of the present invention contains indium, gallium, and zinc at ratios that satisfy the following formulas (1) to (3), wherein the oxide sintered bodyconsists of a single crystalline phase, and the average grain size of the crystalline phase is not greater than 15.0 [mu]m. (1) 0.01 <= In/(In + Ga + Zn) < 0.20; (2) 0.10 <= Ga/(In + Ga + Zn) <= 0.49; (3) 0.50 <= Zn/(In + Ga + Zn) <= 0.89.

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