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公开(公告)号：KR102480756B1
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：KR1020150143554
申请日：2015-10-14
摘要： 본발명의일 실시예에따른스퍼터링장치는챔버, 상기챔버내부에배치되는타겟부및 상기타겟부와대향하는스테이지를포함하되, 상기타겟부는길이방향으로연장되며원통형상을갖는제1 타겟및 제2 타겟을포함하고, 상기제1 타겟을상기길이방향과수직한방향으로자른단면은제1 직경을갖고, 상기제2 타겟을상기길이방향과수직한방향으로자른단면은제2 직경을갖되, 상기제1 직경과상기제2 직경은상이하다.
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公开(公告)号：KR1020220102121A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：KR1020220002610
申请日：2022-01-07
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/26 , H01L21/203
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公开(公告)号：KR102383703B1
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：KR1020207037460
申请日：2017-03-03
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 물리기상증착프로세스들에서이온프랙션을제어하기위한방법들및 장치가개시된다. 일부실시예들에서, 주어진직경을갖는기판을프로세싱하기위한프로세스챔버는: 내부볼륨및 스퍼터링될타겟― 내부볼륨은중심부분및 주변부분을포함함―; 주변부분에환형플라즈마를형성하기위한, 타겟위의회전가능마그네트론; 주어진직경을갖는기판을지지하기위한, 내부볼륨내에배치된기판지지부; 주변부분내에실질적으로수직자기장라인들을형성하기위한, 바디를중심으로배치된제1 세트의자석들; 지지표면의중심을향해지향되는자기장라인들을형성하기위한, 바디를중심으로그리고기판지지부위에배치된제2 세트의자석들; 타겟을전기적으로바이어싱하기위한제1 전력소스; 및기판지지부를전기적으로바이어싱하기위한제2 전력소스를포함한다.
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公开(公告)号：KR102380914B1
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：KR1020197036451
申请日：2018-08-29
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203
摘要： 실시형태의일 태양에관한산화물소결체는, 인듐, 갈륨및 아연을, 이하의식 (1) 내지 (3)을만족시키는비율로포함하는산화물소결체이며, 단상의결정상으로구성되고, 결정상의평균입경이 15.0㎛이하이다. JPEG112019127325734-pct00026.jpg6116JPEG112019127325734-pct00027.jpg6116JPEG112019127325734-pct00028.jpg7117
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公开(公告)号：KR102374073B1
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：KR1020217013278
申请日：2010-04-06
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/285
摘要： 본명세서에기술된실시예들은전체적으로기판상의고 종횡비피처의바닥및 측벽들로재료들을균일하게스퍼터증착하기위한장치및 방법에관련된다. 일실시예에서는기판지지페데스탈과스퍼터링타깃사이에위치한쉴드부재와의기계적및 전기적결합을위한콜리메이터가제공된다. 상기콜리메이터는중앙영역과주변영역을포함하며, 관통하여연장하는복수의개구를구비하며, 여기서중앙영역에배치된개구들은주변영역에배치된개구들보다더 큰종횡비를가진다.
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公开(公告)号：KR1020220024278A
公开(公告)日：2022-03-03
申请号：KR1020220015621
申请日：2022-02-07
IPC分类号： H01L51/00 , H01L21/475 , H01L21/203
摘要： 실시예에따른증착마스크용기판은두께가 20㎛이하인중간층; 및상기중간층의일면또는양면에배치되는표면층을포함한다. 실시예에따른증착마스크의제조방법은, 베이스증착마스크용기판의준비단계; 상기베이스증착마스크용기판의두께를 20㎛이하로감소시키는중간층형성단계; 상기중간층의상에표면층을배치하는표면층형성단계; 상기표면층상에오픈된포토레지스트층을배치하는포토레지스트층형성단계; 및상기오픈된포토레지스트층과대응되는위치에면공을형성하는식각단계;를포함하고, 상기식각단계이후에, 하기식 1에의하여계산된면공의식각팩터는 1.5이상이다. JPEGpat00004.jpg2281 상기식 1에서, 상기 B는식각된면공의중심방향의깊이이고, 상기 A는오픈된포토레지스트층의브리지영역에서연장되어상기면공의중심방향으로돌출된일단의폭이다. 실시예에따른증착마스크에있어서, 증착마스크용기판은두께가 20㎛이하인중간층; 및상기중간층의일면또는양면에배치되는표면층을포함하고, 상기증착마스크용기판은유효영역및 비유효영역을포함하고, 상기유효영역에서복수개의관통홀을포함한다. 실시예에따른증착마스크는서로대향하는제 1 면및 제 2 면을포함하는증착마스크용기판; 상기제 1 면상의제 1 면공과상기제 2 면은상의제 2 면공사이에는변곡점을포함하고, 상기변곡점을기준으로상기제 1 면공까지의각도와상기제 2 면공까지의각도는서로다르고, 상기제 2 면을기준으로상기변곡점까지의각도와상기변곡점을기준으로상기제 1면공까지의각도는각각 90도이하인것을포함한다.
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公开(公告)号：KR102311740B1
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：KR1020187028752
申请日：2017-03-03
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 물리기상증착프로세스들에서이온프랙션을제어하기위한방법들및 장치가개시된다. 일부실시예들에서, 주어진직경을갖는기판을프로세싱하기위한프로세스챔버는: 내부볼륨및 스퍼터링될타겟― 내부볼륨은중심부분및 주변부분을포함함―; 주변부분에환형플라즈마를형성하기위한, 타겟위의회전가능마그네트론; 주어진직경을갖는기판을지지하기위한, 내부볼륨내에배치된기판지지부; 주변부분내에실질적으로수직자기장라인들을형성하기위한, 바디를중심으로배치된제1 세트의자석들; 지지표면의중심을향해지향되는자기장라인들을형성하기위한, 바디를중심으로그리고기판지지부위에배치된제2 세트의자석들; 타겟을전기적으로바이어싱하기위한제1 전력소스; 및기판지지부를전기적으로바이어싱하기위한제2 전력소스를포함한다.
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公开(公告)号：KR102253877B1
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：KR1020140191939
申请日：2014-12-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 스퍼터링장치가제공된다. 스퍼터링장치는스퍼터링챔버, 스퍼터링챔버의상부에배치된타겟, 스퍼터링챔버의하부에서타겟에대향하여배치된기판지지대, 타겟및 기판지지대사이에배치되고, 스퍼터링챔버의내부를상부영역및 하부영역으로분할하는분리판, 상부영역에형성되고, 가스를스퍼터링챔버내로도입하는유입구, 및하부영역에형성되고, 도입된가스를반응챔버외부로배출하는배출구를포함하되, 분리판은복수의슬릿을포함한다.
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公开(公告)号：KR102235442B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020140080571
申请日：2014-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/02
摘要： 제1 타겟과제2 타겟을서로마주보도록배치하고, 기판을상기제1 타겟과제2 타겟사이의영역과마주하도록배치한상태에서, 상기제1 타겟과상기제2 타겟사이의영역과상기기판사이에포집망을배치하여, 상기제1 타겟과상기제2 타겟사이에플라스마를발생시켜스퍼터링을진행면서, 상기제1 타겟과상기제2 타겟사이의영역에서상기기판을향하여진행하는음이온및/또는전자를포집하여배출한다.
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公开(公告)号：KR20210010655A
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：KR20217001822
申请日：2013-08-07
摘要： GaN-기반광전자및 전자장치를위한산소제어된 PVD AlN 버퍼가개시된다. 산소-제어된방식으로 GaN-기반광전자및 전자장치를위한 PVD AlN 버퍼를형성시키는방법이또한개시된다. 예로서, GaN-기반광전자또는전자장치를위한알루미늄니트라이드(AlN) 버퍼층을형성시키는방법은기판상에 AlN 층을반응성스퍼터링시킴을포함하고, 반응성스퍼터링은질소-함유가스또는질소-함유가스를기반으로한 플라즈마와물리기상증착(PVD) 챔버에수용된알루미늄-함유타겟을반응시킴을포함한다. 이러한방법은산소를 AlN 층에도입함을추가로포함한다.
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