Invention Patent
TW201413899A 凸塊結構與其形成方法 审中-公开
凸块结构与其形成方法

凸塊結構與其形成方法
Abstract:
本發明提供一種凸塊結構與其形成方法。凸塊結構包括:一接觸元件形成於一基板之上;一保護層位於該基板上,其中該保護層具有一保護層開口暴露該接觸元件;一聚亞醯胺(polyimide)層位於該保護層之上,其中該聚亞醯胺層具有一聚亞醯胺層開口暴露該接觸元件;一凸塊下方金屬化(UBM)特徵結構電性耦合到該接觸元件,其中該凸塊下方金屬化(UBM)特徵結構具有一凸塊下方金屬化特徵結構寬度;以及一銅柱位於該凸塊下方金屬化(UBM)特徵結構之上,其中該銅柱的一末端具有一柱狀結構寬度,該凸塊下方金屬化特徵結構寬度大於該柱狀結構寬度。
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