Invention Patent
- Patent Title: 凸塊結構與其形成方法
- Patent Title (English): Metal bump and method of manufacturing same
- Patent Title (中): 凸块结构与其形成方法
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Application No.: TW102133795Application Date: 2013-09-18
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Publication No.: TW201413899APublication Date: 2014-04-01
- Inventor: 林彥良 , LIN, YEN LIANG , 曾裕仁 , TSENG, YU JEN , 黃昶嘉 , HUANG, CHANG CHIA , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
- Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Applicant Address: 新竹市
- Assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Current Assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Current Assignee Address: 新竹市
- Agent 洪澄文; 顏錦順
- Priority: 61/702,624 20120918;61/707,442 20120928;61/707,609 20120928;61/707,644 20120928;13/904,885 20130529
- Main IPC: H01L23/488
- IPC: H01L23/488 ; H01L21/60
Abstract:
本發明提供一種凸塊結構與其形成方法。凸塊結構包括:一接觸元件形成於一基板之上;一保護層位於該基板上,其中該保護層具有一保護層開口暴露該接觸元件;一聚亞醯胺(polyimide)層位於該保護層之上,其中該聚亞醯胺層具有一聚亞醯胺層開口暴露該接觸元件;一凸塊下方金屬化(UBM)特徵結構電性耦合到該接觸元件,其中該凸塊下方金屬化(UBM)特徵結構具有一凸塊下方金屬化特徵結構寬度;以及一銅柱位於該凸塊下方金屬化(UBM)特徵結構之上,其中該銅柱的一末端具有一柱狀結構寬度,該凸塊下方金屬化特徵結構寬度大於該柱狀結構寬度。
Public/Granted literature
- TWI521660B 凸塊結構與其形成方法 Public/Granted day:2016-02-11
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