发明专利
- 专利标题: 半導體裝置與方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and method
- 专利标题(中): 半导体设备与方法
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申请号: TW103138307申请日: 2014-11-05
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公开(公告)号: TW201601248A公开(公告)日: 2016-01-01
- 发明人: 葉朝陽 , YEH, CHAO YANG , 林明村 , LIN, MING TSUN , 陶昊 , TAO, HAU
- 申请人: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 申请人地址: 新竹市
- 专利权人: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人地址: 新竹市
- 代理商 馮博生
- 优先权: 62/014,002 20140618;14/463,288 20140819
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L23/488 ; H01L23/498 ; H01L23/535
摘要:
為了提供高密度互連路徑用於互連半導體裝置,具有高密度路線的連結裝置係附接至封裝。在一實施方式中,該封裝係整合的扇出封裝(integrated fan out package)。該連結裝置可接合在該封裝的一側上,以及該封裝可依需要而包括穿透封裝通路。該連結裝置亦可為整合的被動裝置,其包含電阻器、電感器以及電容器組件。
公开/授权文献
- TWI575656B 半導體裝置與方法 公开/授权日:2017-03-21
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IPC分类: