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发明专利
TW201722840A 半導體結構及其製造方法 审中-公开
半导体结构及其制造方法

半導體結構及其製造方法
摘要：
本發明實施例揭露一種半導體結構，其包含：一第一基板；一第二基板；一第一感測結構，其位於該第一基板上方且介於該第一基板與該第二基板之間；一通路，其延伸穿過該第二基板；及一第二感測結構，其位於該第二基板上方且包含與該通路電連接之一互連結構及至少部分覆蓋該互連結構之一感測材料。
摘要（中）：

本发明实施例揭露一种半导体结构，其包含：一第一基板；一第二基板；一第一传感结构，其位于该第一基板上方且介于该第一基板与该第二基板之间；一通路，其延伸穿过该第二基板；及一第二传感结构，其位于该第二基板上方且包含与该通路电连接之一互链接构及至少部分覆盖该互链接构之一传感材料。

摘要（英）：

A semiconductor structure includes a first substrate, a second substrate, a first sensing structure over the first substrate, and between the first substrate and the second substrate, a via extending through the second substrate, and a second sensing structure over the second substrate, and including an interconnect structure electrically connected with the via, and a sensing material at least partially covering the interconnect structure.

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