发明专利
- 专利标题： 用於自我對齊閘極邊緣（ＳＡＧＥ）架構之雙鰭端帽
- 专利标题（英）： DUAL FIN ENDCAP FOR SELF-ALIGNED GATE EDGE (SAGE) ARCHITECTURES
- 专利标题（中）： 用于自我对齐闸极边缘（ＳＡＧＥ）架构之双鳍端帽
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申请号： TW106128297申请日： 2017-08-21
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公开(公告)号： TW201826527A公开(公告)日： 2018-07-16
- 发明人: 簡 嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 歐雷瓦 羅門 , OLAC-VAW, ROMAN , 賀菲斯 瓦力德 , HAFEZ, WALID
- 申请人： 美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理商 林志剛
- 优先权： PCT/US16/54896 20160930
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/417 ; H01L29/66 ; H01L29/78
摘要：
揭示用於自我對齊閘極邊緣架構的雙鰭端帽，以及製造用於自我對齊閘極邊緣結構之雙鰭端帽的方法。在實例中，半導體結構包括具有設置在基板上方並突出穿過溝槽隔離層之最上表面之第一多數半導體鰭片的I/O裝置。具有第二多數半導體鰭片的邏輯裝置設置在基板上方並突出穿過溝槽隔離層的最上表面。閘極邊緣隔離結構設置在I/O裝置與邏輯裝置之間。第一多數半導體鰭片的最靠近閘極邊緣隔離結構之半導體鰭片比第二多數半導體鰭片的最靠近閘極邊緣隔離結構之半導體鰭片更遠離閘極邊緣隔離結構。
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