Invention Patent
- Patent Title: 半導體裝置
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE
- Patent Title (中): 半导体设备
-
Application No.: TW107101945Application Date: 2018-01-19
-
Publication No.: TW201841334APublication Date: 2018-11-16
- Inventor: 鵜澤義仁 , UZAWA, YOSHIHITO , 森下泰之 , MORISHITA, YASUYUKI , 田中正德 , TANAKA, MASANORI
- Applicant: 日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- Assignee: 日商瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- Current Assignee: 日商瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- Agent 周良謀; 周良吉
- Priority: 2017-011250 20170125
- Main IPC: H01L23/60
- IPC: H01L23/60
Abstract:
習知的半導體裝置存在靜電破壞保護電路之電路面積過大的問題。依據一種實施形態的半導體裝置，具有：MOS電晶體MN，係被連接在2個端子間將靜電引發的電流放電、二極體D，係極性與被形成在MOS電晶體MN的閘極與源極之間之寄生二極體Dsn的極性相反。
Information query
IPC分类:
