Invention Patent
- Patent Title: 半導體裝置及藉由鐵磁性材料形成磁場屏蔽的方法
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING MAGNETIC FIELD SHIELDING WITH FERROMAGNETIC MATERIAL
- Patent Title (中): 半导体设备及借由铁磁性材料形成磁场屏蔽的方法
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Application No.: TW107102718Application Date: 2018-01-25
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Publication No.: TW201843749APublication Date: 2018-12-16
- Inventor: 曹成源 , CHO, SUNGWON , 崔善弘 , CHOI, SEONHONG , 金昌伍 , KIM, CHANGOH
- Applicant: 新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
- Assignee: 新加坡商星科金朋有限公司,STATS CHIPPAC PTE. LTD.
- Current Assignee: 新加坡商星科金朋有限公司,STATS CHIPPAC PTE. LTD.
- Agent 閻啟泰; 林景郁
- Priority: 15/456,873 20170313
- Main IPC: H01L21/56
- IPC: H01L21/56 ; H01L23/60 ; H01L23/28 ; H01L23/29
Abstract:
一種半導體裝置係具有一基板以及一被設置在該基板之上的半導體構件。一離散的電性裝置可被設置在該基板之上。一密封劑係被沉積在該基板以及半導體構件之上。一鐵磁性材料係被設置在該密封劑之上。該鐵磁性材料係包含一或多種鐵氧體類型的材料、或是其它具有一呈現鐵磁性性質的晶體結構的材料。該鐵磁性材料係包含一鐵磁性膜,其係具有一聚對苯二甲酸乙二酯層、鐵氧體層、以及黏著層。該鐵磁性膜係從具有鐵磁性膜的板片來加以提供的。一屏蔽層係被形成在該鐵磁性材料之上以及在該半導體構件的周圍。該鐵磁性材料係提供磁性屏蔽以藉由形成一低磁阻的磁通量迴路以改變磁通量場的方向以遠離該半導體晶粒,來降低磁通量場在包含低頻干擾的所有頻帶上對於該半導體晶粒的影響。
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IPC分类: