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    半導體封裝
    7.
    发明专利
    半導體封裝 审中-公开
    半导体封装

    公开(公告)号：TW202023005A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108118283

    申请日：2019-05-27

    申请人： 南韓商三星電機股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

    发明人： 林裁賢 ,  LIM, JAE HYUN ,  李尙鍾 ,  LEE, SANG JONG ,  金哲奎 ,  KIM, CHUL KYU ,  徐允錫 ,  SEO, YOON SEOK

    IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/488

    摘要： 一種半導體封裝包括：框架，具有開口且包括配線層以及一或多層連接通孔；半導體晶片，配置於開口中且具有主動面及與主動面相對的非主動面，主動面上配置有連接墊；包封體，覆蓋框架及半導體晶片且填充開口；連接結構，配置於框架以及半導體晶片的主動面上，且包括電性連接至連接墊及配線層的一或多個重佈線層；一或多個被動組件，配置於連接結構上；模製材料，覆蓋被動組件中的每一者；以及金屬層，覆蓋框架、連接結構及模製材料中的每一者的外表面。金屬層連接至框架的配線層中所包括的接地圖案。

    简体摘要： 一种半导体封装包括：框架，具有开口且包括配线层以及一或多层连接通孔；半导体芯片，配置于开口中且具有主动面及与主动面相对的非主动面，主动面上配置有连接垫；包封体，覆盖框架及半导体芯片且填充开口；连接结构，配置于框架以及半导体芯片的主动面上，且包括电性连接至连接垫及配线层的一或多个重布线层；一或多个被动组件，配置于连接结构上；模制材料，覆盖被动组件中的每一者；以及金属层，覆盖框架、连接结构及模制材料中的每一者的外表面。金属层连接至框架的配线层中所包括的接地图案。

    封裝結構
    8.
    发明专利
    封裝結構 审中-公开
    封装结构

    公开(公告)号：TW202023004A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108113384

    申请日：2019-04-17

    申请人： 南亞科技股份有限公司 ,  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 周良賓 ,  CHOU, LIANG-PIN

    IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/48

    摘要： 本揭露關於一種封裝結構，包括一半導體元件、一第一模塑料、一通孔、一第一介電層和一第二介電層、至少一個重佈線、以及一第二模塑料。該第一模塑料與該半導體元件的一側壁接觸。該通孔形成在該第一模塑料內並且電連接到半導體元件。該第一介電層和該第二介電層形成在該半導體元件的一上側和一下側。該至少一個重佈線形成在該第一介電層內並且電連接到該半導體元件和該通孔。該第二模塑料與該第一介電層的一側壁接觸。該至少一個重佈線包括一靜電放電(electrical static discharge，ESD)保護特徵或一金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal，MIM)特徵。

    简体摘要： 本揭露关于一种封装结构，包括一半导体组件、一第一模塑料、一通孔、一第一介电层和一第二介电层、至少一个重布线、以及一第二模塑料。该第一模塑料与该半导体组件的一侧壁接触。该通孔形成在该第一模塑料内并且电连接到半导体组件。该第一介电层和该第二介电层形成在该半导体组件的一上侧和一下侧。该至少一个重布线形成在该第一介电层内并且电连接到该半导体组件和该通孔。该第二模塑料与该第一介电层的一侧壁接触。该至少一个重布线包括一静电放电(electrical static discharge，ESD)保护特征或一金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)特征。