基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體

Invention Patent

TW202018815A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體审中-公开

Simplified title: 基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录媒体

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Patent Title: 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
Patent Title (中): 基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录媒体
Application No.: TW108109590

Application Date: 2019-03-20
Publication No.: TW202018815A

Publication Date: 2020-05-16
Inventor: 水口靖裕 , MIZUGUCHI, YASUHIRO , 松井俊 , MATSUI, SHUN
Applicant: 日商國際電氣股份有限公司 , KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
Assignee: 日商國際電氣股份有限公司,KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
Current Assignee: 日商國際電氣股份有限公司,KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
Agent 賴經臣; 宿希成
Priority: 2018-208138 20181105
Main IPC: H01L21/31
IPC: H01L21/31 ; H01L21/318 ; H01L21/316 ; C23C16/46 ; C23C16/52

Abstract:

本發明之課題在於提升各基板之處理均勻性。本發明之解決手段之技術，係具有根據程式對基板進行處理的處理執行部；對程式進行處理之第1控制部；根據由第1控制部所接收之資料，控制處理執行部之第2控制部；第1控制部係構成為進行設於其他基板處理裝置之第1控制部之作動資料的判定，在判定了於其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，可實行設於其他基板處理裝置之第1控制部的代替控制。

Abstract(Chinese):

本发明之课题在于提升各基板之处理均匀性。本发明之解决手段之技术，系具有根据进程对基板进行处理的处理运行部；对进程进行处理之第1控制部；根据由第1控制部所接收之数据，控制处理运行部之第2控制部；第1控制部系构成为进行设于其他基板处理设备之第1控制部之作动数据的判定，在判定了于其他基板处理设备之第1控制部发生了不良情况时，可实行设于其他基板处理设备之第1控制部的代替控制。

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择