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发明专利
TW240342B 歐姆電極及其形成方法,以及發光元件 失效
欧姆电极及其形成方法,以及发光组件

歐姆電極及其形成方法,以及發光元件
摘要：
本發明之目的是實現一種歐姆電極，對Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體具有良好之密性而且接觸電阻係數很低。
本發明之構造是利用真空蒸法在ｐ型ZnTe層２上形成歐姆電極，該歐姆電極由以Pd膜３作為最下層之金屬多層膜來構成。在歐姆電極形成後，依照需要以100～300℃之溫度進行退火。依照這種方式所形成之歐姆電極作為使用有Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體之半導體雷射或發光二極體之ｐ側之歐姆電極。
摘要（中）：

本发明之目的是实现一种欧姆电极，对Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体具有良好之密性而且接触电阻系数很低。 本发明之构造是利用真空蒸法在ｐ型ZnTe层２上形成欧姆电极，该欧姆电极由以Pd膜３作为最下层之金属多层膜来构成。在欧姆电极形成后，依照需要以100～300℃之温度进行退火。依照这种方式所形成之欧姆电极作为使用有Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体之半导体激光或发光二极管之ｐ侧之欧姆电极。

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