公开(公告)号：TW240342B

公开(公告)日：1995-02-11

申请号：TW082108721

申请日：1993-10-20

申请人： 新力股份有限公司

发明人： 小澤正文 ,  伊藤哲 ,  成井二三代

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L21/443 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/145 ,  H01L33/28 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/327

摘要： 本發明之目的是實現一種歐姆電極，對Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體具有良好之密性而且接觸電阻係數很低。
本發明之構造是利用真空蒸法在ｐ型ZnTe層２上形成歐姆電極，該歐姆電極由以Pd膜３作為最下層之金屬多層膜來構成。在歐姆電極形成後，依照需要以100～300℃之溫度進行退火。依照這種方式所形成之歐姆電極作為使用有Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體之半導體雷射或發光二極體之ｐ側之歐姆電極。

简体摘要： 本发明之目的是实现一种欧姆电极，对Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体具有良好之密性而且接触电阻系数很低。 本发明之构造是利用真空蒸法在ｐ型ZnTe层２上形成欧姆电极，该欧姆电极由以Pd膜３作为最下层之金属多层膜来构成。在欧姆电极形成后，依照需要以100～300℃之温度进行退火。依照这种方式所形成之欧姆电极作为使用有Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体之半导体激光或发光二极管之ｐ侧之欧姆电极。

公开(公告)号：TW236042B

公开(公告)日：1994-12-11

申请号：TW083103030

申请日：1994-04-07

申请人： 新力股份有限公司

发明人： 小澤正文 ,  成井二三代

IPC分类号： H01S ,  H01L

摘要： 本發明係利用RIE法在P 型Zn1-xMgxSySe1-y (0

简体摘要： 本发明系利用RIE法在P 型Zn1-xMgxSySe1-y (0

公开(公告)号：TW230850B

公开(公告)日：1994-09-21

申请号：TW082104836

申请日：1993-06-17

申请人： 新力股份有限公司

发明人： 小澤正文 ,  石橋晃 ,  伊落美乃 ,  伊藤哲 ,  池田昌夫 ,  秋本克洋 ,  宮綦孝夫

IPC分类号： H01L ,  H01S

CPC分类号： H01L33/40 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3068 ,  H01S5/327 ,  H01S5/347

摘要： 一種半導體裝置，其特徵為具備：第１正型（ｐ型）Ⅱ～Ⅵ族半導體：第２正型（ｐ型）Ⅱ～Ⅵ族半導體；及多重量子井層（multiple quantum well layer），其係位於上述第１正型（ｐ型）Ⅱ～Ⅵ族半導體與上述第２正型Ⅱ～Ⅵ族半導體之界面之上述第１正型Ⅱ～Ⅵ族半導體側所形成之空乏層（depletion layer）內；上述第１Ⅱ～Ⅵ族半導體之價能帶（Valence band）之頂點能量（ceiling energy）比上述第２正型Ⅱ～Ⅵ族半導體為低；
上述量子井層係由上述第１正型Ⅱ～Ⅵ族半導體所形成之障壁與上述第２正型Ⅱ～Ⅵ族半導體所形成之量子井所構成者。

简体摘要： 一种半导体设备，其特征为具备：第１正型（ｐ型）Ⅱ～Ⅵ族半导体：第２正型（ｐ型）Ⅱ～Ⅵ族半导体；及多重量子井层（multiple quantum well layer），其系位于上述第１正型（ｐ型）Ⅱ～Ⅵ族半导体与上述第２正型Ⅱ～Ⅵ族半导体之界面之上述第１正型Ⅱ～Ⅵ族半导体侧所形成之空乏层（depletion layer）内；上述第１Ⅱ～Ⅵ族半导体之价能带（Valence band）之顶点能量（ceiling energy）比上述第２正型Ⅱ～Ⅵ族半导体为低； 上述量子井层系由上述第１正型Ⅱ～Ⅵ族半导体所形成之障壁与上述第２正型Ⅱ～Ⅵ族半导体所形成之量子井所构成者。