发明专利
TWI313506B 電鍍薄膜及其形成方法 PLATING FILM AND FORMING METHOD THEREOF
有权
电镀薄膜及其形成方法 PLATING FILM AND FORMING METHOD THEREOF
- 专利标题: 電鍍薄膜及其形成方法 PLATING FILM AND FORMING METHOD THEREOF
- 专利标题(英): Plating film and forming method thereof
- 专利标题(中): 电镀薄膜及其形成方法 PLATING FILM AND FORMING METHOD THEREOF
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申请号: TW095122497申请日: 2006-06-22
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公开(公告)号: TWI313506B公开(公告)日: 2009-08-11
- 发明人: 作山誠樹 SAKUYAMA, SEIKI
- 申请人: 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
- 申请人地址: 日本
- 专利权人: 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人: 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址: 日本
- 代理商 惲軼群; 陳文郎
- 优先权: 日本 2006-083074 20060324
- 主分类号: H01L
- IPC分类号: H01L ; C25D
摘要:
由錫或錫合金所構成的錫電鍍薄膜係構成位在一基板之一前表面及一後表面上組成導線架。就錫合金而言,例如,能夠引用錫銅合金(銅含量:2質量百分比(mass%))、錫鉍合金(鉍含量:2質量百分比(mass%))以及相似物。基板,例如,係由銅合金或相似物所構成。錫電鍍薄膜中,複數晶粒係不規則地配置。再者,錫電鍍薄膜中存在有複數間隙部分。因於錫電鍍薄膜中存有間隙部分,所以即使接續地執行彎曲製程或相似製程亦能夠降低外應力。因此,能夠抑制伴隨有外應力的晶鬚成長。
公开/授权文献
- TW200737464A 電鍍薄膜及其形成方法 PLATING FILM AND FORMING METHOD THEREOF 公开/授权日:2007-10-01
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