公开(公告)号：TW200737464A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：TW095122497

申请日：2006-06-22

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 作山誠樹 SAKUYAMA, SEIKI

IPC分类号： H01L ,  C25D

CPC分类号： C25D3/30 ,  B32B15/01 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： 由錫或錫合金所構成的錫電鍍薄膜係構成位在一基板之一前表面及一後表面上組成導線架。就錫合金而言,例如,能夠引用錫銅合金(銅含量:2質量百分比(mass%))、錫鉍合金(鉍含量:2質量百分比(mass%))以及相似物。基板,例如,係由銅合金或相似物所構成。錫電鍍薄膜中,複數晶粒係不規則地配置。再者,錫電鍍薄膜中存在有複數間隙部分。因於錫電鍍薄膜中存有間隙部分,所以即使接續地執行彎曲製程或相似製程亦能夠降低外應力。因此,能夠抑制伴隨有外應力的晶鬚成長。

简体摘要： 由锡或锡合金所构成的锡电镀薄膜系构成位在一基板之一前表面及一后表面上组成导线架。就锡合金而言,例如,能够引用锡铜合金(铜含量:2质量百分比(mass%))、锡铋合金(铋含量:2质量百分比(mass%))以及相似物。基板,例如,系由铜合金或相似物所构成。锡电镀薄膜中,复数晶粒系不守则地配置。再者,锡电镀薄膜中存在有复数间隙部分。因于锡电镀薄膜中存有间隙部分,所以即使接续地运行弯曲制程或相似制程亦能够降低外应力。因此,能够抑制伴随有外应力的晶须成长。

公开(公告)号：TW200734490A

公开(公告)日：2007-09-16

申请号：TW095122678

申请日：2006-06-23

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 作山誠樹 SAKUYAMA, SEIKI ,  清水浩三 SHIMIZU, KOZO

IPC分类号： C25D

CPC分类号： C22C13/00 ,  B32B15/015 ,  C22C9/02 ,  C22C13/02 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/18 ,  C23C18/1848 ,  C23C18/48 ,  C23C18/52 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12715 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭露一電鍍結構,該電鍍結構係包括一基底,其由一含有銅作為主要組份以銅為基礎的材料形成,一電鍍膜,其由一含有錫作為主要組份以錫為基礎的材料形成且設置於基底上方,及一錫-銅化合物障壁膜,其設置於基底與電鍍膜間之邊界處。錫-銅化合物障壁膜的密度大於銅的密度。

简体摘要： 本发明揭露一电镀结构,该电镀结构系包括一基底,其由一含有铜作为主要组份以铜为基础的材料形成,一电镀膜,其由一含有锡作为主要组份以锡为基础的材料形成且设置于基底上方,及一锡-铜化合物障壁膜,其设置于基底与电镀膜间之边界处。锡-铜化合物障壁膜的密度大于铜的密度。

公开(公告)号：TWI313506B

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：TW095122497

申请日：2006-06-22

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 作山誠樹 SAKUYAMA, SEIKI

IPC分类号： H01L ,  C25D

CPC分类号： C25D3/30 ,  B32B15/01 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： 由錫或錫合金所構成的錫電鍍薄膜係構成位在一基板之一前表面及一後表面上組成導線架。就錫合金而言,例如,能夠引用錫銅合金(銅含量:2質量百分比(mass%))、錫鉍合金(鉍含量:2質量百分比(mass%))以及相似物。基板,例如,係由銅合金或相似物所構成。錫電鍍薄膜中,複數晶粒係不規則地配置。再者,錫電鍍薄膜中存在有複數間隙部分。因於錫電鍍薄膜中存有間隙部分,所以即使接續地執行彎曲製程或相似製程亦能夠降低外應力。因此,能夠抑制伴隨有外應力的晶鬚成長。

简体摘要： 由锡或锡合金所构成的锡电镀薄膜系构成位在一基板之一前表面及一后表面上组成导线架。就锡合金而言,例如,能够引用锡铜合金(铜含量:2质量百分比(mass%))、锡铋合金(铋含量:2质量百分比(mass%))以及相似物。基板,例如,系由铜合金或相似物所构成。锡电镀薄膜中,复数晶粒系不守则地配置。再者,锡电镀薄膜中存在有复数间隙部分。因于锡电镀薄膜中存有间隙部分,所以即使接续地运行弯曲制程或相似制程亦能够降低外应力。因此,能够抑制伴随有外应力的晶须成长。

公开(公告)号：TW200924585A

公开(公告)日：2009-06-01

申请号：TW097135454

申请日：2008-09-16

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 古山昌治 FURUYAMA, MASAHARU ,  水谷大輔 MIZUTANI, DAISUKE ,  作山誠樹 SAKUYAMA, SEIKI ,  赤松俊也 AKAMATSU, TOSHIYA

IPC分类号： H05K ,  H01L

CPC分类号： H05K3/10 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/1105 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種一由一無鉛(Pb)焊料構成之焊料球欲與之連接的電路板、一包括一電極及一由一無鉛(Pb)焊料構成且設置在該電極上之焊料球的半導體裝置、及一製造該半導體裝置的方法,其中安裝可靠性可藉加强在由一無鉛(Pb)焊料構成之焊料球與該電極間之結合强度(黏著强度)而改善。

简体摘要： 本发明提供一种一由一无铅(Pb)焊料构成之焊料球欲与之连接的电路板、一包括一电极及一由一无铅(Pb)焊料构成且设置在该电极上之焊料球的半导体设备、及一制造该半导体设备的方法,其中安装可靠性可藉加强在由一无铅(Pb)焊料构成之焊料球与该电极间之结合强度(黏着强度)而改善。

公开(公告)号：TW200812032A

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW096101591

申请日：2007-01-16

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 藤森城次 FUJIMORI, JOJI ,  作山誠樹 SAKUYAMA, SEIKI ,  赤松俊也 AKAMATSU, TOSHIYA

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05552

摘要： 一種半導體構件之安裝方法,藉此該半導體構件經由一不含鉛(Pb)的外部連接凸出電極被安裝在一佈線板上,該安裝方法包括施用一回流加熱方法以連接該半導體構件之外部連接凸出電極與該佈線板,且隨後以一相等且低於0.5℃/s之冷卻速度冷卻該經連接的半導體構件及佈線板之步驟。

简体摘要： 一种半导体构件之安装方法,借此该半导体构件经由一不含铅(Pb)的外部连接凸出电极被安装在一布线板上,该安装方法包括施用一回流加热方法以连接该半导体构件之外部连接凸出电极与该布线板,且随后以一相等且低于0.5℃/s之冷却速度冷却该经连接的半导体构件及布线板之步骤。