发明专利
- 专利标题： 半導體裝置及其製造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and fabricating method thereof
- 专利标题（中）： 半导体设备及其制造方法
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申请号： TW101101042申请日： 2012-01-11
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公开(公告)号： TWI587503B公开(公告)日： 2017-06-11
- 发明人: 李琮雄 , LEE, TSUNG HSIUNG , 杜尚暉 , TU, SHANG HUI
- 申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- 申请人地址： 新竹縣
- 专利权人： 世界先進積體電路股份有限公司,VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- 当前专利权人： 世界先進積體電路股份有限公司,VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- 当前专利权人地址： 新竹縣
- 代理商 洪澄文; 顏錦順
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/20 ; H01L21/336
公开/授权文献
- TW201330250A 半導體裝置及其製造方法 公开/授权日：2013-07-16
信息查询
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