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公开(公告)号：TWI698014B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108106028
申请日：2019-02-22
发明人： 張睿鈞 , CHANG, JUI CHUN , 蘇泊沅 , SU, BO YUAN , 廖健男 , LIAO, CHIEN NAN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW202018922A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107138786
申请日：2018-11-01
发明人： 李新輝 , LEE, HSIN HUI , 曾漢良 , TSENG, HAN LIANG , 余俊良 , YU, JIUNN LIANG , 林光明 , LIN, KWANG MING , 陳茵 , CHEN, YIN , 陳子端 , CHEN, SI TWAN , 林學榮 , LIN, HSUEH JUNG , 呂文志 , LU, WEN CHIH , 呂定蓉 , LU, TING JUNG
摘要： 本發明實施例提供一種光學感應器，包括：位於基板中之複數個畫素以及位於基板之上之光準直層。上述光準直層包括：第一遮光層、第一透光柱、第二遮光層、及第二透光柱。第一遮光層位於基板之上。第一透光柱穿過第一遮光層，對應設置於些畫素上。第二遮光層位於第一遮光層及第一透光柱上方；以及第二透光柱，穿過第二遮光層，對應設置於第一透光柱上；第一透光柱之頂面積不等於第二透光柱之底面積。
简体摘要： 本发明实施例提供一种光学感应器，包括：位于基板中之复数个像素以及位于基板之上之光准直层。上述光准直层包括：第一遮光层、第一透光柱、第二遮光层、及第二透光柱。第一遮光层位于基板之上。第一透光柱穿过第一遮光层，对应设置于些像素上。第二遮光层位于第一遮光层及第一透光柱上方；以及第二透光柱，穿过第二遮光层，对应设置于第一透光柱上；第一透光柱之顶面积不等于第二透光柱之底面积。
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公开(公告)号：TWI692868B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108113124
申请日：2019-04-16
发明人： 林鑫成 , LIN, SHIN-CHENG , 林文新 , LIN, WEN-HSIN , 好 韓 , TAMPUBOLON, MAROJAHAN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/778
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公开(公告)号：TWI692857B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108102818
申请日：2019-01-25
发明人： 羅宗仁 , LAO, CHUNG-REN , 廖志成 , LIAO, CHIH-CHERNG , 劉士豪 , LIU, SHIH-HAO , 呂武羲 , LU, WU-HSI , 羅明城 , LO, MING-CHENG , 鐘偉綸 , 林志威 , LIN, CHIH-WEI
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公开(公告)号：TW202015184A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW107135758
申请日：2018-10-11
发明人： 許家銘 , HSU, CHIA MING , 劉旭正 , LIU, HSU CHENG , 陳佳麟 , CHEN, CHIA LIN , 李建興 , LEE, JIAN HSING
IPC分类号： H01L21/8258 , H01L21/76
摘要： 一種半導體裝置，包含絕緣體上覆矽基底、第一和第二主動元件、以及內連線結構。絕緣體上覆矽基底包含半導體層，半導體層包含被隔離結構隔開的第一和第二半導體區塊。第一和第二主動元件分別設置於第一和第二半導體區塊上。第一主動元件的源極/汲極區透過內連線結構提供的第一路徑電性連接至第二主動元件的閘極結構。第一半導體區塊透過內連線結構提供的第二路徑電性連接至第二半導體區塊。第二路徑包含接觸件，接觸件接觸第二半導體區塊之上表面。
简体摘要： 一种半导体设备，包含绝缘体上覆硅基底、第一和第二主动组件、以及内连接结构。绝缘体上覆硅基底包含半导体层，半导体层包含被隔离结构隔开的第一和第二半导体区块。第一和第二主动组件分别设置于第一和第二半导体区块上。第一主动组件的源极/汲极区透过内连接结构提供的第一路径电性连接至第二主动组件的闸极结构。第一半导体区块透过内连接结构提供的第二路径电性连接至第二半导体区块。第二路径包含接触件，接触件接触第二半导体区块之上表面。
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公开(公告)号：TW202011425A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW107131720
申请日：2018-09-10
发明人： 廖健男 , LIAO, CHIEN NAN , 蘇泊沅 , SU, BO YUAN , 張睿鈞 , CHANG, JUI CHUN
摘要： 本發明提供一種電感結構，包括：一基板；一第一介電層，形成於該基板上；一第一金屬層，形成於該第一介電層中；一第二介電層，形成於該第一介電層上；一第二金屬層，形成於該第二介電層中，其中該第一金屬層與該第二金屬層為連續金屬層；至少一中間介電層，形成於該第一介電層與該第二介電層之間；至少一中間金屬層，形成於該至少一中間介電層中，其中該至少一中間金屬層為圖案化金屬層；以及複數個通孔，連接該第一金屬層與該至少一中間金屬層，以及連接該第二金屬層與該至少一中間金屬層，其中該第一金屬層、該通孔、該至少一中間金屬層、該通孔、該第二金屬層、該通孔、以及該至少一中間金屬層形成一延伸路徑，該延伸路徑以該第一金屬層為一延伸起點，依螺旋方式延伸。
简体摘要： 本发明提供一种电感结构，包括：一基板；一第一介电层，形成于该基板上；一第一金属层，形成于该第一介电层中；一第二介电层，形成于该第一介电层上；一第二金属层，形成于该第二介电层中，其中该第一金属层与该第二金属层为连续金属层；至少一中间介电层，形成于该第一介电层与该第二介电层之间；至少一中间金属层，形成于该至少一中间介电层中，其中该至少一中间金属层为图案化金属层；以及复数个通孔，连接该第一金属层与该至少一中间金属层，以及连接该第二金属层与该至少一中间金属层，其中该第一金属层、该通孔、该至少一中间金属层、该通孔、该第二金属层、该通孔、以及该至少一中间金属层形成一延伸路径，该延伸路径以该第一金属层为一延伸起点，依螺旋方式延伸。
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公开(公告)号：TWI686948B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108112979
申请日：2019-04-15
发明人： 林永豐 , LIN, YUNG-FONG , 周政道 , CHOU, CHENG-TAO
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公开(公告)号：TWI670799B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106130420
申请日：2017-09-06
发明人： 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 林鑫成 , LIN, SHIN CHENG , 胡鈺豪 , HO, YU HAO
IPC分类号： H01L21/8228 , H01L21/74 , H01L21/76
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公开(公告)号：TWI667788B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107110021
申请日：2018-03-23
发明人： 尼迪 卡魯納 , NIDHI, KARUNA , 柯明道 , KER, MING DOU , 林庭佑 , LIN, TING YOU
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/808 , H01L21/337
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公开(公告)号：TW201907567A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW106122196
申请日：2017-07-03
发明人： 林信志 , LIN, HSIN CHIH , 林鑫成 , LIN, SHIN CHENG , 林永豪 , LIN, YUNG HAO
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/20 , H01L21/31
摘要： 本揭露提供一種高電子遷移率電晶體元件，包括：一基板；一第一磊晶層，形成於該基板上；一第二磊晶層，形成於該第一磊晶層上；一絕緣層，形成於該第二磊晶層上；一閘極，形成於該絕緣層中，並延伸進入該第二磊晶層；以及一源極與一汲極，形成於該絕緣層中，並延伸進入該第二磊晶層，位於該閘極之兩側。
简体摘要： 本揭露提供一种高电子迁移率晶体管组件，包括：一基板；一第一磊晶层，形成于该基板上；一第二磊晶层，形成于该第一磊晶层上；一绝缘层，形成于该第二磊晶层上；一闸极，形成于该绝缘层中，并延伸进入该第二磊晶层；以及一源极与一汲极，形成于该绝缘层中，并延伸进入该第二磊晶层，位于该闸极之两侧。
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