- 专利标题： Oxide semiconductor film, thin film transistor, oxide sintered body, and sputtering target
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申请号： US16482203申请日： 2018-01-23
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公开(公告)号： US11728390B2公开(公告)日： 2023-08-15
- 发明人: Kazuyoshi Inoue , Masatoshi Shibata
- 申请人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Foley & Lardner LLP
- 优先权： JP 17016853 2017.02.01
- 国际申请： PCT/JP2018/001929 2018.01.23
- 国际公布： WO2018/143005A 2018.08.09
- 进入国家日期： 2019-07-30
- 主分类号： H01L29/24
- IPC分类号： H01L29/24 ; C04B35/01 ; C04B35/64 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; H01L29/66 ; H01L29/786 ; H01L29/26
摘要：
An oxide semiconductor film contains In, Ga, and Sn at respective atomic ratios satisfying formulae (1) to (3): 0.01≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.30 . . . (1); 0.01≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.40 . . . (2); and 0.55≤In/(In+Ga+Sn)≤0.98 . . . (3), and Al at an atomic ratio satisfying a formula (4): 0.05≤Al/(In+Ga+Sn+Al)≤0.30 . . . (4).
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