- 专利标题： High thermal conductivity boron arsenide for thermal management, electronics, optoelectronics, and photonics applications
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申请号： US16967362申请日： 2019-02-01
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公开(公告)号： US11948858B2公开(公告)日： 2024-04-02
- 发明人: Yongjie Hu , Joon Sang Kang
- 申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
- 申请人地址： US CA Oakland
- 专利权人： The Regents of the University of California
- 当前专利权人： The Regents of the University of California
- 当前专利权人地址： US CA Oakland
- 代理机构： Foley & Lardner LLP
- 国际申请： PCT/US2019/016255 2019.02.01
- 国际公布： WO2019/152782A 2019.08.08
- 进入国家日期： 2020-08-04
- 主分类号： H01L23/373
- IPC分类号： H01L23/373 ; C30B25/02 ; C30B29/40 ; H01L21/02 ; H01L29/20
摘要：
A device includes: (1) a boron arsenide substrate; and (2) an integrated circuit disposed in or over the boron arsenide substrate.
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