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C
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化学；冶金
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C30
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晶体生长
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C30B
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单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置
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C30B11/00
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正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B13/00，C30B15/00，C30B17/00，C30B19/00优先；保护流体下的入C30B27/00）
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C30B11/04
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.熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
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C30B11/08
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..晶体成分的所有组分均是在结晶化过程中添加的
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C30B11/10
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...固态组分或液态组分，例如焰熔法
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