发明申请
US20020163012A1 Semiconductor triode device having a compound-semiconductor channel layer
失效
具有化合物半导体沟道层的半导体三极管器件
- 专利标题： Semiconductor triode device having a compound-semiconductor channel layer
- 专利标题（中）： 具有化合物半导体沟道层的半导体三极管器件
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申请号： US09746064申请日： 2000-12-26
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公开(公告)号： US20020163012A1公开(公告)日： 2002-11-07
- 发明人: Mizuhisa Nihei , Yuu Watanabe
- 申请人： FUJITSU LIMITED
- 申请人地址： JP Kawasaki-shi
- 专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Kawasaki-shi
- 优先权： JP2000-095895 20000330
- 主分类号： H01L031/072
- IPC分类号： H01L031/072 ; H01L027/095 ; H01L023/48
摘要：
A semiconductor triode comprises a gate electrode provided on a channel layer, wherein there is interposed an insulating metal oxide layer between a top surface of the channel layer and the gate electrode.
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