发明申请
US20040115948A1 Method for fabricating on stack structures in a semiconductor device
审中-公开
一种用于在半导体器件中的堆叠结构上制造的方法
- 专利标题： Method for fabricating on stack structures in a semiconductor device
- 专利标题（中）： 一种用于在半导体器件中的堆叠结构上制造的方法
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申请号： US10317039申请日： 2002-12-12
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公开(公告)号： US20040115948A1公开(公告)日： 2004-06-17
- 发明人: Yung Hsien Wu , Jer Lee
- 申请人： ProMOS Technologies, Inc.
- 申请人地址： null
- 专利权人： ProMOS Technologies, Inc.
- 当前专利权人： ProMOS Technologies, Inc.
- 当前专利权人地址： null
- 主分类号： H01L021/302
- IPC分类号： H01L021/302
摘要：
A method for manufacturing a semiconductor device that includes providing a first layer, cleaning the first layer, growing an oxide layer over the first layer at a reduced pressure from an atmospheric pressure, and depositing a nitride layer over the oxide layer, wherein the growing of the oxide layer and depositing of the nitride layer are performed in the same furnace.
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