发明申请
- 专利标题： Composition for antistat layer
- 专利标题（中）： 防静电层的组成
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申请号： US10911193申请日： 2004-08-04
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公开(公告)号： US20050006629A1公开(公告)日： 2005-01-13
- 发明人: Debasis Majumdar , Richard Castle , Janglin Chen
- 申请人： Debasis Majumdar , Richard Castle , Janglin Chen
- 主分类号： B41M5/42
- IPC分类号： B41M5/42 ; B41M5/52 ; C09K3/16 ; G03C1/85 ; H01C1/00
摘要：
A composition for an antistat layer comprising: a chlorinated polyolefin; a conductive agent; and a solvent.
公开/授权文献
- US06991750B2 Composition for antistat layer 公开/授权日：2006-01-31
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