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发明申请
US20050040030A1 Method of treating sputtering target to reduce burn-in time and sputtering target thereof and apparatus thereof 审中-公开
溅射靶的处理方法，以减少烧成时间及其溅射靶及其装置

  • 专利标题： Method of treating sputtering target to reduce burn-in time and sputtering target thereof and apparatus thereof
  • 专利标题（中）： 溅射靶的处理方法，以减少烧成时间及其溅射靶及其装置
  • 申请号： US10643986
    申请日： 2003-08-20
  • 公开(公告)号： US20050040030A1
    公开(公告)日： 2005-02-24
  • 发明人: Peter McDonald
  • 申请人： Peter McDonald
  • 主分类号： C23C14/32
  • IPC分类号： C23C14/32 ;  C23C14/34 ;  C25F1/00
Method of treating sputtering target to reduce burn-in time and sputtering target thereof and apparatus thereof
摘要：
A method for dry treating a sputtering target using a sputtering ion plasma at low power to effectively reduce burn-in time of the target; the target so produced; and apparatus used for the target treatment.
摘要（中）：

一种使用溅射离子等离子体以低功率干燥处理溅射靶的方法，以有效地降低靶的老化时间; 目标如此生产; 和用于目标治疗的装置。

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