发明申请
- 专利标题： MOS varactor for LC VCOs
- 专利标题（中）： 用于LC VCO的MOS变容二极管
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申请号： US10786247申请日： 2004-02-25
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公开(公告)号： US20050184314A1公开(公告)日： 2005-08-25
- 发明人: Ward Titus , John Kenney
- 申请人： Ward Titus , John Kenney
- 主分类号： H01L27/08
- IPC分类号： H01L27/08 ; H01L27/10
摘要：
A metal oxide semiconductor (MOS) varactor device has a source and a drain connected to each other, and a back gate, electrically separate from the source and drain, which is connected to a circuit common mode point.
公开/授权文献
- US07038527B2 MOS varactor for LC VCOs 公开/授权日：2006-05-02
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IPC分类:
