Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates

发明申请

US20050238816A1 Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates 审中-公开

标题翻译：在塑料基材上沉积低温无机膜的方法和设备

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专利标题： Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates
专利标题（中）： 在塑料基材上沉积低温无机膜的方法和设备
申请号： US10831407

申请日： 2004-04-23
公开(公告)号： US20050238816A1

公开(公告)日： 2005-10-27
发明人: Li Hou , Tae Won
申请人： Li Hou , Tae Won
主分类号： C23C16/02
IPC分类号： C23C16/02 ; C23C16/30 ; C23C16/34 ; C23C16/40 ; C23C16/505 ; H01L51/52 ; H05H1/24

Method and apparatus of depositing low temperature inorganic films on plastic substrates

摘要：

A method and apparatus for depositing a low temperature inorganic film onto large area plastic substrates are described in this invention. Low temperature (

摘要（中）：

本发明描述了一种将低温无机膜沉积到大面积塑料基底上的方法和装置。低温（<80°C）的无机膜不能很好地粘附在塑料基材上。因此，加入低温（<80℃）等离子体预处理以提高粘合性能。具有等离子体预处理的无机膜显示出良好的附着力和密封性。

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IPC分类:

C	化学；冶金
C23	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）
C23C16/00	通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C14/00）
C23C16/02	.待镀材料的预处理（C23C16/04优先）