发明申请
- 专利标题： Ferroelectric thin film, method of manufacturing the same, ferroelectric memory device and ferroelectric piezoelectric device
- 专利标题（中）： 铁电薄膜，其制造方法，铁电存储器件和铁电体压电器件
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申请号： US11241959申请日： 2005-10-04
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公开(公告)号： US20060027849A1公开(公告)日： 2006-02-09
- 发明人: Takeshi Kijima , Yasuaki Hamada , Eiji Natori
- 申请人： Takeshi Kijima , Yasuaki Hamada , Eiji Natori
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Seiko Epson Corporation
- 当前专利权人： Seiko Epson Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2002-379418 20021227
- 主分类号： H01L29/94
- IPC分类号： H01L29/94
摘要：
A ferroelectric thin film formed of a highly oriented polycrystal in which 180° domains and 90° domains arrange at a constant angle to an applied electric field direction in a thin film plane and reversely rotate in a predetermined electric field.
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