发明申请
US20060057845A1 Method of forming nickel-silicon compound, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method
审中-公开
形成镍硅化合物的方法，半导体器件和半导体器件的制造方法
- 专利标题： Method of forming nickel-silicon compound, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method
- 专利标题（中）： 形成镍硅化合物的方法，半导体器件和半导体器件的制造方法
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申请号： US11207562申请日： 2005-08-19
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公开(公告)号： US20060057845A1公开(公告)日： 2006-03-16
- 发明人: Mitsumasa Koyanagi , Hiroyuki Kurino , Toshiaki Kurino , Jeoung Shim
- 申请人： Mitsumasa Koyanagi , Hiroyuki Kurino , Toshiaki Kurino , Jeoung Shim
- 申请人地址： JP Yokohama-shi
- 专利权人： Semiconductor Technology Academic Research Center
- 当前专利权人： Semiconductor Technology Academic Research Center
- 当前专利权人地址： JP Yokohama-shi
- 优先权： JP2004-239457 20040819
- 主分类号： H01L21/44
- IPC分类号： H01L21/44
摘要：
There is disclosed a method of forming a nickel film on a silicon substrate or a silicon film, followed by applying an annealing process such that a final annealing temperature TH is in the range of 500° C.
摘要（中）：
公开了在硅衬底或硅膜上形成镍膜的方法，然后进行退火处理，使得最终退火温度TH在500℃的范围内。
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IPC分类:
