发明申请
- 专利标题： Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer
- 专利标题（中）： 低1c螺钉位错3寸碳化硅晶圆
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申请号： US10957806申请日： 2004-10-04
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公开(公告)号： US20060073707A1公开(公告)日： 2006-04-06
- 发明人: Adrian Powell , Mark Brady , Stephen Mueller , Valeri Tsvetkov , Robert Leonard
- 申请人： Adrian Powell , Mark Brady , Stephen Mueller , Valeri Tsvetkov , Robert Leonard
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/461
摘要：
A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 3 inches and a 1 c screw dislocation density of less than about 2000 cm−2.
公开/授权文献
- US07314520B2 Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer 公开/授权日：2008-01-01
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IPC分类:
