公开(公告)号：US08618552B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US11940423

申请日：2007-11-15

申请人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard

发明人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/04

摘要： A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 100 mm and a micropipe density of less than about 25 cm−2.

摘要翻译： 公开了具有至少约100mm的直径和小于约25cm -2的微管密度的高质量的SiC单晶晶片。

公开(公告)号：US20130100830A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13277337

申请日：2011-10-20

申请人： Mark Brady ,  Stephen Sposato ,  Jin Wang ,  Xidong Wu

发明人： Mark Brady ,  Stephen Sposato ,  Jin Wang ,  Xidong Wu

IPC分类号： H04L12/26 ,  H04W24/00

CPC分类号： H04W24/08 ,  H04L43/10 ,  H04L43/12 ,  H04L43/50 ,  H04L47/29 ,  H04W4/02

摘要： A method includes receiving a packet stream via a wireless signal from a device of a wireless information delivery system. The method includes determining wireless signal data associated with the wireless signal during a particular time interval, determining packet stream data associated with the packet stream during the particular time interval, and analyzing the wireless signal data and the packet stream data to produce an assessment of at least a portion of the wireless information delivery system.

摘要翻译： 一种方法包括经由来自无线信息传送系统的设备的无线信号接收分组流。 该方法包括在特定时间间隔期间确定与无线信号相关联的无线信号数据，在特定时间间隔内确定与分组流相关联的分组流数据，以及分析无线信号数据和分组流数据以产生在 至少一部分无线信息传递系统。

公开(公告)号：US08384090B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US11940454

申请日：2007-11-15

申请人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Stephan G. Mueller ,  Valeri F. Tsvetkov ,  Robert T. Leonard

发明人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Stephan G. Mueller ,  Valeri F. Tsvetkov ,  Robert T. Leonard

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  Y10T428/21

摘要： A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 3 inches and a 1c screw dislocation density of less than about 2000 cm−2.

摘要翻译： 公开了具有至少约3英寸的直径和小于约2000cm-2的1c螺旋位错密度的SiC的高质量单晶晶片。

公开(公告)号：USD644845S1

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US29375416

申请日：2010-09-22

申请人： Mark Brady

设计人： Mark Brady

公开(公告)号：US07380602B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US10991715

申请日：2004-11-18

申请人： Mark Brady ,  Arthur Milne

发明人： Mark Brady ,  Arthur Milne

IPC分类号： E21B43/02

CPC分类号： C09K8/52 ,  C09K8/68

摘要： A method of treating a subterranean formation with a retarded self-diverting fluid system. The method includes contacting the formation with a mixture of acid, chelating agent, and betaine surfactant in which the betaine surfactant is mixed with an aqueous solution of the chelating agent in which the pH has been adjusted to a pH of below about 3.0, but above the pH at which the free acid of the chelating agent precipitates, and the resulting fluid system is utilized for both acid fracturing and matrix stimulation, as well as workover procedures such as scale and filter cake removal, especially in high temperature formations.

摘要翻译： 用延迟自转流体系统处理地层的方法。 该方法包括使该地层与酸，螯合剂和甜菜碱表面活性剂的混合物接触，其中将甜菜碱表面活性剂与螯合剂的水溶液混合，其中pH调节至pH低于约3.0，但高于 螯合剂游离酸沉淀的pH以及所得的流体系统用于酸压裂和基体刺激，以及修整方法，例如垢和滤饼去除，特别是在高温地层中。

公开(公告)号：US20080008641A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11428954

申请日：2006-07-06

申请人： Robert T. Leonard ,  Mark Brady ,  Adrian Powell

发明人： Robert T. Leonard ,  Mark Brady ,  Adrian Powell

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00

摘要： A semiconductor crystal and associated growth method are disclosed. The crystal includes a seed portion and a growth portion on the seed portion. The seed portion and the growth portion form a substantially right cylindrical single crystal of silicon carbide. A seed face defines an interface between the growth portion and the seed portion, with the seed face being substantially parallel to the bases of the right cylindrical crystal and being off-axis with respect to a basal plane of the single crystal. The growth portion replicates the polytype of the seed portion and the growth portion has a diameter of at least about 100 mm.

摘要翻译： 公开了半导体晶体和相关生长方法。 晶体包括种子部分和种子部分上的生长部分。 种子部分和生长部分形成基本上为圆柱形的碳化硅单晶。 种子面限定了生长部分和种子部分之间的界面，种子面基本上平行于右圆柱形晶体的基部并且相对于单晶的基面偏离轴。 生长部分复制种子部分的多型，并且生长部分具有至少约100mm的直径。

公开(公告)号：US07316747B2

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：US11248579

申请日：2005-10-12

申请人： Jason Ronald Jenny ,  David Phillip Malta ,  Hudson McDonald Hobgood ,  Stephan Georg Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri F. Tsvetkov ,  George J. Fechko, Jr. ,  Calvin H. Carter, Jr.

发明人： Jason Ronald Jenny ,  David Phillip Malta ,  Hudson McDonald Hobgood ,  Stephan Georg Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri F. Tsvetkov ,  George J. Fechko, Jr. ,  Calvin H. Carter, Jr.

IPC分类号： C30B25/12

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/324

摘要： A method is disclosed for producing a high quality bulk single crystal of silicon carbide in a seeded growth system and in the absence of a solid silicon carbide source, by reducing the separation between a silicon carbide seed crystal and a seed holder until the conductive heat transfer between the seed crystal and the seed holder dominates the radiative heat transfer between the seed crystal and the seed holder over substantially the entire seed crystal surface that is adjacent the seed holder.

摘要翻译： 公开了一种用于在种子生长系统中生产高质量大块碳化硅单晶并且在不存在固体碳化硅源的情况下，通过减少碳化硅晶种和种子保持器之间的分离直到导电传热 晶种和种子保持器之间的种子晶种和种子保持器之间的辐射热传递在基本上与种子保持器相邻的整个晶种表面上。

公开(公告)号：US07314520B2

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US10957806

申请日：2004-10-04

申请人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Stephen G. Mueller ,  Valeri F. Tsvetkov ,  Robert T. Leonard

发明人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Stephen G. Mueller ,  Valeri F. Tsvetkov ,  Robert T. Leonard

IPC分类号： C30B25/12

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  Y10T428/21

摘要： A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 3 inches and a 1 c screw dislocation density of less than about 2000 cm−2.

摘要翻译： 公开了一种高质量的SiC晶圆，其直径至少​​为约3英寸，螺旋位错密度小于约2000cm -2。

公开(公告)号：US07294324B2

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US11147645

申请日：2005-06-08

申请人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Valeri F. Tsvetkov

发明人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Valeri F. Tsvetkov

IPC分类号： C01B33/36

CPC分类号： C30B33/00 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/66068

摘要： A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed. The wafer has a diameter of at least about 3 inches (75 mm) and at least one continuous square inch (6.25 cm2) of surface area that has a basal plane dislocation volume density of less than about 500 cm−2 for a 4 degree off-axis wafer.

摘要翻译： 公开了一种高质量的SiC晶圆。 该晶片具有至少约3英寸（75mm）的直径和至少一个具有小于约500的基面位错体积密度的表面积的连续平方英寸（6.25cm 2/2） 用于4度离轴晶片的cm -2。

公开(公告)号：US20070209577A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US10957807

申请日：2004-10-04

申请人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Robert Leonard

发明人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Robert Leonard

IPC分类号： H01L31/00 ,  C30B25/00 ,  C01B31/36 ,  C30B23/00

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/04

摘要： A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 100 mm and a micropipe density of less than about 25 cm−2.

摘要翻译： 公开了一种高质量的SiC晶圆，其直径至少​​为约100mm，微管密度小于约25cm -2。