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发明申请
US20060081925A1 Semiconductor device with asymmetric pocket implants 有权
具有不对称口袋植入物的半导体器件

  • 专利标题： Semiconductor device with asymmetric pocket implants
  • 专利标题（中）： 具有不对称口袋植入物的半导体器件
  • 申请号： US11245377
    申请日： 2005-10-06
  • 公开(公告)号： US20060081925A1
    公开(公告)日： 2006-04-20
  • 发明人: Yin-Pin Wang , Chin-Sheng Chang
  • 申请人： Yin-Pin Wang , Chin-Sheng Chang
  • 主分类号： H01L29/76
  • IPC分类号： H01L29/76
Semiconductor device with asymmetric pocket implants
摘要：
A semiconductor device (1) has a source (2) a gate (3) and a drain (4), a single deep-pocket ion implant (8) in a source-drain depletion region, and a single shallow-pocket ion implant (9) in the source-drain depletion region.
摘要（中）：

半导体器件（1）具有源极（2），栅极（3）和漏极（4），源极 - 漏极耗尽区域中的单个深孔离子注入（8）和单个浅口离子注入 （9）在源 - 漏耗尽区。

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