发明申请
US20060088974A1 METHOD OF AFFECTING RRAM CHARACTERISTICS BY DOPING PCMO THIN FILMS
有权
通过PCMO薄膜影响RRAM特性的方法
- 专利标题： METHOD OF AFFECTING RRAM CHARACTERISTICS BY DOPING PCMO THIN FILMS
- 专利标题（中）： 通过PCMO薄膜影响RRAM特性的方法
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申请号： US10971387申请日： 2004-10-21
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公开(公告)号： US20060088974A1公开(公告)日： 2006-04-27
- 发明人: Wei-Wei Zhuang , David Evans , Fengyan Zhang , Sheng Hsu
- 申请人： Wei-Wei Zhuang , David Evans , Fengyan Zhang , Sheng Hsu
- 专利权人： Sharp Laboratories of America, Inc.
- 当前专利权人： Sharp Laboratories of America, Inc.
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/00
摘要：
A method of fabricating a doped-PCMO thin film layer includes preparing a PCMO precursor solution having a transition metal additive therein; and spin-coating the doped-PCMO spin-coating solution onto a wafer.
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