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发明申请
US20060110915A1 Semiconductor device having low-k dielectric film in pad region and method for manufacture thereof 有权
在垫区域中具有低k电介质膜的半导体器件及其制造方法

  • 专利标题： Semiconductor device having low-k dielectric film in pad region and method for manufacture thereof
  • 专利标题（中）： 在垫区域中具有低k电介质膜的半导体器件及其制造方法
  • 申请号： US11328954
    申请日： 2006-01-09
  • 公开(公告)号： US20060110915A1
    公开(公告)日： 2006-05-25
  • 发明人: Hong-Jae Shin
  • 申请人： Hong-Jae Shin
  • 申请人地址： KR Suwon-si
  • 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
  • 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
  • 当前专利权人地址： KR Suwon-si
  • 优先权： JP2003-087805 20030327
  • 主分类号： H01L21/4763
  • IPC分类号： H01L21/4763
Semiconductor device having low-k dielectric film in pad region and method for manufacture thereof
摘要：
A low-k dielectric film is formed on an entire surface of a substrate having a pad region and a circuit region. A resist pattern is formed on the low-k dielectric film, and an opening is formed in the low-k dielectric film of the pad region using the resist pattern as a mask. A silicon oxide film having strength higher than the low-k dielectric film is formed in the opening using liquid-phase deposition method. Wirings are formed in the silicon oxide film of the pad region and in the low-k dielectric film of the circuit region using damascene method.
摘要（中）：

在具有焊盘区域和电路区域的衬底的整个表面上形成低k电介质膜。 在低k电介质膜上形成抗蚀剂图案，并且使用抗蚀剂图案作为掩模，在焊盘区域的低k电介质膜中形成开口。 使用液相沉积法在开口中形成强度高于低k电介质膜的氧化硅膜。 使用镶嵌方法，在焊盘区域的氧化硅膜和电路区域的低k电介质膜中形成布线。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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