Method for fabricating capacitor of semiconductor device

发明申请

US20060134855A1 Method for fabricating capacitor of semiconductor device 有权

标题翻译：制造半导体器件电容器的方法

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专利标题： Method for fabricating capacitor of semiconductor device
专利标题（中）： 制造半导体器件电容器的方法
申请号： US11154384

申请日： 2005-06-15
公开(公告)号： US20060134855A1

公开(公告)日： 2006-06-22
发明人: Hyung Choi , Jong Park , Kee Lee , Jong Lee
申请人： Hyung Choi , Jong Park , Kee Lee , Jong Lee
申请人地址： KR Ichon-shi
专利权人： Hynix Semiconductor, Inc.
当前专利权人： Hynix Semiconductor, Inc.
当前专利权人地址： KR Ichon-shi
优先权： KR10-2004-0107935 20041217
主分类号： H01L21/8242
IPC分类号： H01L21/8242 ; H01L21/20

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

摘要：

A method for forming a capacitor of a semiconductor device includes forming a first insulation layer having a storage node plug on a semiconductor substrate; forming an etch stop layer and a second insulation layer sequentially on the substrate having the first insulation layer; forming a hole exposing a portion of the storage node plug by selectively etching the second insulation layer by using the etch stop layer; recessing a portion of the storage node plug exposed by the hole; forming a barrier metal layer on a surface of the recessed storage node plug; forming a storage node electrode connected to the storage node plug through the barrier metal layer in the hole; and forming a dielectric layer and a metal layer for a plate electrode sequentially on the storage node electrode.

摘要（中）：

一种形成半导体器件的电容器的方法包括在半导体衬底上形成具有存储节点插头的第一绝缘层; 在具有第一绝缘层的基板上依次形成蚀刻停止层和第二绝缘层; 通过使用所述蚀刻停止层选择性地蚀刻所述第二绝缘层，形成暴露所述存储节点插塞的一部分的孔; 使由孔露出的存储节点插头的一部分凹陷; 在所述凹形存储节点插塞的表面上形成阻挡金属层; 形成通过所述孔中的所述阻挡金属层与所述存储节点插头连接的存储节点电极; 以及在所述存储节点电极上依次形成用于平板电极的电介质层和金属层。

公开/授权文献

US07858483B2 Method for fabricating capacitor of semiconductor device 公开/授权日：2010-12-28

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）