Forming method of low dielectric constant insulating film of semiconductor device, semiconductor device, and low dielectric constant insulating film forming apparatus

发明申请

US20060154492A1 Forming method of low dielectric constant insulating film of semiconductor device, semiconductor device, and low dielectric constant insulating film forming apparatus 审中-公开

标题翻译：半导体器件，半导体器件和低介电常数绝缘膜形成设备的低介电常数绝缘膜的形成方法

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专利标题： Forming method of low dielectric constant insulating film of semiconductor device, semiconductor device, and low dielectric constant insulating film forming apparatus
专利标题（中）： 半导体器件，半导体器件和低介电常数绝缘膜形成设备的低介电常数绝缘膜的形成方法
申请号： US11322318

申请日： 2006-01-03
公开(公告)号： US20060154492A1

公开(公告)日： 2006-07-13
发明人: Shinji Ide , Masaru Sasaki , Satohiko Hoshino
申请人： Shinji Ide , Masaru Sasaki , Satohiko Hoshino
申请人地址： JP Tokyo
专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
当前专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
当前专利权人地址： JP Tokyo
优先权： JP2003-190501 20030702
主分类号： H01L21/31
IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/469

Forming method of low dielectric constant insulating film of semiconductor device, semiconductor device, and low dielectric constant insulating film forming apparatus

摘要：

It is an object of the present invention to cure an insulating film of a semiconductor device in a short time while keeping a low dielectric constant. In the present invention, a coating film made of porous MSQ is formed on a substrate, the substrate on which the porous MSQ is formed is placed in a vacuum vessel, and high-density plasma processing at a low electron temperature based on microwave excitation is applied to the coating film by using a plasma substrate processing apparatus, thereby causing an intermolecular dehydration-condensation reaction of hydroxyls in a molecule and another molecule included in the porous MSQ to bond the molecules together, so that a cured insulating film is generated while a low dielectric constant is maintained.

摘要（中）：

本发明的目的是在保持低介电常数的同时在短时间内固化半导体器件的绝缘膜。在本发明中，在基板上形成由多孔MSQ制成的涂膜，将形成有多孔质子MSQ的基板放置在真空容器中，基于微波激发的低电子温度的高密度等离子体处理为通过使用等离子体基板处理装置施加到涂膜，从而使分子中的羟基和多孔MSQ中包含的另一个分子的分子间脱水缩合反应将分子结合在一起，从而产生固化的绝缘膜，同时维持低介电常数。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择