发明申请
- 专利标题： Advanced CMOS using super steep retrograde wells
- 专利标题（中）： 先进的CMOS使用超级陡逆流井
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申请号： US11362908申请日： 2006-02-28
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公开(公告)号： US20060175657A1公开(公告)日： 2006-08-10
- 发明人: Jeffrey Babcock , Angelo Pinto , Scott Balster , Alfred Haeusler , Gregory Howard
- 申请人： Jeffrey Babcock , Angelo Pinto , Scott Balster , Alfred Haeusler , Gregory Howard
- 主分类号： H01L29/76
- IPC分类号： H01L29/76
摘要：
The present invention is a method for forming super steep doping profiles in MOS transistor structures. The method comprises forming a carbon containing layer (110) beneath the gate dielectric (50) and source and drain regions (80) of a MOS transistor. The carbon containing layer (110) will prevent the diffusion of dopants into the region (40) directly beneath the gate dielectric layer (50).
公开/授权文献
- US07199430B2 Advanced CMOS using super steep retrograde wells 公开/授权日：2007-04-03
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IPC分类:
